|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. П. Мясникова, В. Ф. Дроботько, А. П. Борзенко, Ю. М. Бойко, В. А. Марихин, С. A. Терехов, М. А. Яговкина, “Поиск оптимальных условий монолитизации реакторного порошка сверхвысокомолекулярного полиэтилена”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1942–1950   |
| 2. |
В. А. Кравец, Е. В. Иванова, М. А. Яговкина, М. В. Заморянская, “Низкотемпературный синтез стеклокерамики с кристаллитами YNbO$_{4}$ : Tb$^{3+}$”, Оптика и спектроскопия, 129:11 (2021), 1417–1423 ; V. A. Kravez, E. V. Ivanova, M. A. Yagovkina, M. V. Zamoryanskaya, “Low-temperature synthesis of glass-ceramics with YNbO$_{4}$ : Tb$^{3+}$ crystallites”, Optics and Spectroscopy, 130:14 (2022), 2127–2133 |
1
|
| 3. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Курдюков, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, А. В. Швидченко, М. А. Яговкина, В. Г. Голубев, “Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 475–480 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Kurdyukov, D. A. Kirilenko, A. N. Smirnov, A. V. Shvidchenko, M. A. Yagovkina, V. G. Golubev, “Synthesis of monodisperse MoS$_{2}$ nanoparticles by the template method”, Semiconductors, 55:6 (2021), 525–530 |
|
2020 |
| 4. |
Е. В. Калашников, В. Н. Гурин, С. П. Никаноров, Л. И. Деркаченко, М. А. Яговкина, “Рост кристаллов при спонтанной кристаллизации в неинерциальных системах в условиях космической станции и в условиях Земли на примере синтеза и роста кристаллов CrSi$_{2}$ из раствора-расплава Zn”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 32–35 ; E. V. Kalashnikov, V. N. Gurin, S. P. Nikanorov, L. I. Derkachenko, M. A. Yagovkina, “Synthesis and growth of CrSi$_{2}$ crystals from a Zn solution–melt during spontaneous crystallization in noninertial systems in conditions of space station and in terrestrial conditions”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 34–37 |
| 5. |
Е. В. Гущина, Б. Р. Бородин, В. А. Шаров, В. В. Осипов, С. И. Павлов, М. А. Яговкина, М. С. Дунаевский, “Исследования проводящих и сегнетоэлектрических свойств BZT-пленок”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2159–2164 ; E. V. Gushchina, B. R. Borodin, V. A. Sharov, V. V. Osipov, S. I. Pavlov, M. A. Yagovkina, M. S. Dunaevskii, “An investigation of the conductive and ferroelectric properties of BZT films”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2066–2071 |
| 6. |
E. V. Ivanova, S. M. Masloboeva, V. A. Kravez, K. N. Orekhova, G. A. Gusev, A. N. Trofimov, O. B. Shcherbina, M. A. Yagovkina, A. A. Averin, M. V. Zamoryanskaya, “Synthesis and luminescent properties of gadolinium tantalum niobates Gd(Nb$_{0.9}$Ta$_{0.1})$O$_{4}$”, Оптика и спектроскопия, 128:2 (2020), 228 ; Optics and Spectroscopy, 127:6 (2019), 1011–1017 |
9
|
| 7. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, M. V. Smirnov, “Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1397 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1706–1709 |
|
2019 |
| 8. |
С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1152–1158 ; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 |
9
|
| 9. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, М. А. Яговкина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Proton irradiation of 4$H$-SiC photodetectors with Schottky barriers”, Semiconductors, 53:6 (2019), 844–849 |
7
|
| 10. |
Е. В. Калашников, В. Н. Гурин, С. П. Никаноров, М. А. Яговкина, Л. И. Деркаченко, “Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 52–54 ; E. V. Kalashnikov, V. N. Gurin, S. P. Nikanorov, M. A. Yagovkina, L. I. Derkachenko, “Stress relaxation in CrSi$_{2}$ crystals grown in weightlessness conditions from the melt Zn of the Cr–Si–Zn system”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 687–689 |
|
2018 |
| 11. |
М. В. Байдакова, П. В. Дороватовский, Я. В. Зубавичус, Е. М. Иванькова, С. С. Иванчев, В. А. Марихин, Л. П. Мясникова, М. А. Яговкина, “Формирование и трансформация моноклинной и орторомбической фаз в реакторных порошках сверхвысокомолекулярного полиэтилена”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1847–1851 ; M. V. Baidakova, P. V. Dorovatovskii, Ya. V. Zubavichus, E. M. Ivan'kova, S. S. Ivanchev, V. A. Marikhin, L. P. Myasnikova, M. A. Yagovkina, “Origination and transformation of the monoclinic and orthorhombic phases in reactor powders of ultrahigh molecular weight polyethylene”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1897–1902 |
9
|
| 12. |
В. А. Кравец, К. Н. Орехова, М. А. Яговкина, Е. В. Иванова, М. В. Заморянская, “Eu$^{3+}$ как люминесцентный зонд для исследования структуры R$_{2}$O$_{3}$-материалов (R – Y, Eu и Gd)”, Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018), 180–186 ; V. A. Kravez, K. N. Orekhova, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, M. V. Zamoryanskaya, “Eu$^{3+}$ as a luminescent probe for studying the structure of R$_{2}$O$_{3}$ materials (R = Y, Eu, and Gd)”, Optics and Spectroscopy, 125:2 (2018), 188–194 |
14
|
| 13. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1000–1005 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Eurov, D. A. Kurdyukov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. R. Yakovlev, V. G. Golubev, “Template synthesis of monodisperse spherical nanocomposite SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$ particles”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1123–1128 |
4
|
| 14. |
V. V. Chaldyshev, E. V. Kundelev, A. N. Poddubny, A. P. Vasil'ev, M. A. Yagovkina, Y. Chen, N. Maharjan, Z. Liu, M. L. Nakarmi, N. M. Shakya, “Optical properties of AlGaAs/GaAs resonant Bragg structure at the second quantum state”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 466 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 447–451 |
| 15. |
В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137 ; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 |
1
|
| 16. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 |
1
|
| 17. |
С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 94–102 ; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, M. A. Yagovkina, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Nanoheterostructures with CdTe/Zn(Mg)(Se)Te quantum dots for single-photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 267–270 |
3
|
|
2017 |
| 18. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1598–1603 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Eurov, D. A. Kurdyukov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, D. R. Yakovlev, V. G. Golubev, “The synthesis of clusters of iron oxides in mesopores of monodisperse spherical silica particles”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1623–1628 |
11
|
| 19. |
С. В. Кидалов, Ф. М. Шахов, А. В. Швидченко, А. Н. Смирнов, В. В. Соколов, М. А. Яговкина, А. Я. Вуль, “Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 21–29 ; S. V. Kidalov, F. M. Shakhov, A. V. Shvidchenko, A. N. Smirnov, V. V. Sokolov, M. A. Yagovkina, A. Ya. Vul', “Growth of diamond microcrystals by the oriented attachment mechanism at high pressure and high temperature”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 53–56 |
9
|
|
2016 |
| 20. |
Д. А. Курдюков, А. Б. Певцов, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, В. Г. Голубев, “Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом”, Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1176–1181 ; D. A. Kurdyukov, A. B. Pevtsov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, N. T. Bagraev, V. G. Golubev, “Formation of three-dimensional arrays of magnetic clusters NiO, Co$_{3}$O$_{4}$, and NiCo$_{2}$O$_{4}$ by the matrix method”, Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1216–1221 |
7
|
| 21. |
А. В. Воронин, А. Е. Александров, Б. Я. Бер, П. Н. Брунков, А. А. Борматов, В. К. Гусев, Е. В. Демина, А. Н. Новохацкий, С. И. Павлов, М. Д. Прусакова, Г. Ю. Сотникова, М. А. Яговкина, “Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам”, ЖТФ, 86:3 (2016), 51–57 ; A. V. Voronin, A. E. Aleksandrov, B. Ya. Ber, P. N. Brunkov, A. A. Bormatov, V. K. Gusev, E. V. Demina, A. N. Novokhatskii, S. I. Pavlov, M. D. Prusakova, G. Yu. Sotnikova, M. A. Yagovkina, “Experimental study of cyclic action of plasma on tungsten”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 370–376 |
6
|
| 22. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1401–1407 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 |
3
|
| 23. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, М. А. Яговкина, В. М. Устинов, Н. А. Черкашин, “Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1263–1269 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 |
1
|
| 24. |
Б. Т. Мелех, Д. А. Курдюков, Д. А. Явсин, В. М. Кожевин, С. А. Гуревич, С. В. Гастев, М. П. Волков, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, А. Б. Певцов, “Наноструктурированные магнитные пленки оксидов железа, полученные методом лазерного электродиспергирования”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 62–69 ; B. T. Melekh, D. A. Kurdyukov, D. A. Yavsin, V. M. Kozhevin, S. A. Gurevich, S. V. Gastev, M. P. Volkov, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, A. B. Pevtsov, “Nanostructured magnetic films of iron oxides fabricated by laser electrodispersion”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1005–1008 |
4
|
| 25. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 85–91 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 |
5
|
| 26. |
М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48 ; M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, A. E. Romanov, “Complex use of the diffraction techniques in depth profiling of the crystal lattice parameter and composition of InGaAs/GaAs gradient layers”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467 |
6
|
| 27. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, “Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 86–93 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434 |
|
Обратная связь: