Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Ber, Boris Yakovlevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 32
Scientific articles: 32

Number of views:
This page:249
Abstract pages:1827
Full texts:972
References:38
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person84229
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, B. Ya. Ber, A. A. Anisimov, I. D. Breev, “Origin of green coloration in AlN crystals grown on SiC seeds”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:6 (2021),  513–517  mathnet  elib; Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550
2020
2. V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:3 (2020),  285–291  mathnet  elib; Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 4
3. G. S. Gagis, V. I. Vasil’ev, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, V. I. Kuchinskii, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “Investigation of the effect of doping on transition layers of anisotype GaInAsP and InP heterostructures obtained by the method of MOCVD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:19 (2020),  22–24  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 961–963 1
2019
4. G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil’ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:11 (2019),  1512–1518  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 3
5. V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon XUV avalanche photodiode in the 320–1100 nm wavelength range”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:24 (2019),  10–13  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1226–1229 2
6. G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil’ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:20 (2019),  22–25  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 1
7. P. N. Aruev, B. Ya. Ber, A. N. Gorokhov, V. V. Zabrodskii, D. Yu. Kazantsev, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Characteristics of a silicon avalanche photodiode for the near-IR spectral range”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:15 (2019),  40–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 780–782 2
8. T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:15 (2019),  21–24  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 5
2018
9. L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1244–1249  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 3
10. V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:2 (2018),  233–237  mathnet  elib; Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 1
11. D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  48–56  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 3
12. V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:24 (2018),  17–24  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 3
13. N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:13 (2018),  44–50  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 3
2017
14. D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1696  mathnet; Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 3
15. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
16. L. B. Karlina, A. S. Vlasov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, N. Kh. Timoshina, M. M. Kulagina, A. B. Smirnov, “Formation of a $p$-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  699–703  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 667–671 1
17. V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, V. I. Kuchinskii, A. G. Deryagin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “A study of transition regions in InAsPSb/InAs heterostructures grown by MOVPE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:19 (2017),  78–86  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 905–908 3
2016
18. A. V. Voronin, A. E. Aleksandrov, B. Ya. Ber, P. N. Brunkov, A. A. Bormatov, V. K. Gusev, E. V. Demina, A. N. Novokhatskii, S. I. Pavlov, M. D. Prusakova, G. Yu. Sotnikova, M. A. Yagovkina, “Experimental study of cyclic action of plasma on tungsten”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 86:3 (2016),  51–57  mathnet  elib; Tech. Phys., 61:3 (2016), 370–376 6
19. E. V. Astrova, A. M. Rumyantsev, G. V. Li, A. V. Nashchekin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, V. V. Zhdanov, “Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  979–986  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 963–969 6
20. N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:12 (2016),  57–63  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 9
21. V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:10 (2016),  85–91  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 5
2012
22. P. N. Aruev, M. M. Barysheva, B. Ya. Ber, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, A. Ya. Lopatin, A. E. Pestov, M. V. Petrenko, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V. L. Sukhanov, N. I. Chkhalo, “Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 42:10 (2012),  943–948  mathnet  elib [Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948  isi  scopus] 26
1992
23. B. Ya. Ber, V. P. Evtikhiev, A. B. Komissarov, A. O. Kosogov, D. A. Zushinskii, “MOLECULAR-BEAM EPITAXY (MBE) OF GAAS AND (AL,GA)AS ON UNORIENTED GAAS(100) SUBSTRATES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:11 (1992),  72–76  mathnet
1991
24. B. Ya. Ber, I. R. Dainova, V. A. Korobov, M. M. Kulagina, G. V. Prishchepa, V. Z. Pyataev, A. Y. Ostrovskii, M. I. Etinberg, “N-TYPE LASER FORMATION OF OHMIC CONTACTS TOWARD GALLIUM-ARSENIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:20 (1991),  74–79  mathnet
1986
25. B. Ya. Ber, L. А. Kadinskiy, M. A. Sinicin, V. S. Yuferev, B. S. Yavich, “ANALYSIS OF NONSTATIONARY PHENOMENA IN THE REACTOR VOLUME DURING THE AL-GA-AS STRUCTURE GROWING PROCESS WITH SHARP MOC HETEROTRANSITIONS BY THE HYDRIDE METHOD”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:2 (1986),  361–366  mathnet
26. Zh. I. Alferov, B. Ya. Ber, D. Z. Garbuzov, K. Yu. Kizhaev, V. V. Krasovskii, S. A. Nikishin, D. V. Sinyavskii, V. P. Ulin, “Formation of transition layers in heterostructures based on $Ga\,As-Al\,As$ solid-solutions during the liquid-phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:6 (1986),  335–341  mathnet
1985
27. N. N. Ledentsov, B. Ya. Ber, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, G. M. Minchev, “EFFECT OF GROWTH-CONDITIONS ON THE HUM ADDITIONS IN GAAS ALLOYED LAYERS GROWN BY MBE METHODS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:1 (1985),  142–147  mathnet
28. Z. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, B. Ya. Ber, L. S. Vavilova, V. V. Krasovskii, A. V. Chudinov, “Auger Profiles of Composition and Luminescent Studies of Liquid-Phase InGaAsP Heterostructures with Active Regions ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  cm”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1108–1114  mathnet
29. Zh. I. Alferov, P. S. Kopv, B. Ya. Ber, A. M. Vasil'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, I. N. Ural'tsev, D. R. Yakovlev, “Intrinsic and Impurity Luminescence in GaAs$-$AlGaAs Structures with Quantum Wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  715–721  mathnet
30. Zh. I. Alferov, B. Ya. Ber, K. Yu. Kizhaev, S. A. Nikishin, E. L. Portnoĭ, “Epitaxy $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ from the migrating limited liquid-phase volume”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:16 (1985),  961–968  mathnet
1984
31. P. S. Kop'ev, B. Ya. Ber, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Effect of Growth Conditions on the Implantation of Background Impurities into Undoped GaAs Epitaxial Layers Grown by the Method of Molecular-Beam Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
32. B. Ya. Ber, A. E. Golberg, P. S. Kop'ev, B. Ya. Mel'tser, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:12 (1983),  751–754  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024