Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Lebedev, Alexander Alexandrovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 113
Scientific articles: 112

Number of views:
This page:336
Abstract pages:5294
Full texts:2240
References:59
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences (1998)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
Birth date: 10.03.1959

https://www.mathnet.ru/eng/person140840
https://ru.wikipedia.org/wiki/Lebedev,_Aleksandr_Aleksandrovich_(fizik)
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=817884
https://www.researchgate.net/profile/Aa-Lebedev

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
2. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Charge transfer in the vertical structures formed by two-dimensional layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:20 (2021),  16–18  mathnet  elib
2020
3. G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Fizika Tverdogo Tela, 62:10 (2020),  1726–1730  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 2
4. G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 62:3 (2020),  462–471  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 5
5. E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:3 (2020),  450–455  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 4
6. A. A. Lebedev, A. V. Kirillov, L. P. Romanov, A. V. Zubov, A. M. Strel'chuk, “Development of the processing technique and study of microwave switches based on 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$ diodes”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:2 (2020),  264–267  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253
7. I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1388  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677
8. A. M. Strel'chuk, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Characteristics of Schottky rectifier diodes based on silicon carbide at elevated temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1364–1367  mathnet  elib; Semiconductors, 54:12 (2020), 1624–1627
9. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, A. V. Zubov, P. V. Bulat, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene-like nanostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:23 (2020),  19–21  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1174–1176 1
10. P. A. Alekseev, B. R. Borodin, I. A. Mustafin, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, V. N. Trukhin, “Terahertz near-field response in graphene ribbons”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:15 (2020),  29–32  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 756–759 2
11. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, A. V. Zubov, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene nanostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:15 (2020),  7–9  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 733–736 4
12. A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:10 (2020),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 4
13. V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
14. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron diffraction study of epitaxial graphene formed by thermal destruction of SiC(0001) in an Ar environment and in high vacuum”, Fizika Tverdogo Tela, 61:10 (2019),  1978–1984  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1940–1946 3
15. G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 61:7 (2019),  1374–1384  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 10
16. S. P. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, P. A. Dementev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:12 (2019),  1940–1946  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849 2
17. A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 6
18. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteĭn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
19. O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  991–994  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 4
20. S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Coulomb electron interaction between an adsorbate and substrate: a model of a surface dimer”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:18 (2019),  21–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 924–926 2
21. A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:11 (2019),  28–30  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 3
22. S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “A model of a surface dimer in the problem of adsorption”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:9 (2019),  40–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 461–463 5
23. A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, UFN, 189:8 (2019),  803–848  mathnet  elib; Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  isi  scopus 15
2018
24. A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effect in monolayer graphene associated with the formation of graphene–water interface”, Fizika Tverdogo Tela, 60:12 (2018),  2474–2477  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2668–2671 1
25. M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 60:7 (2018),  1423–1430  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 13
26. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron-diffraction study of the structure of epitaxial graphene grown by the method of thermal destruction of 6$H$- and 4$H$-SiC (0001) in vacuum”, Fizika Tverdogo Tela, 60:7 (2018),  1403–1408  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1419–1424 1
27. S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 9:1 (2018),  95–97  mathnet  isi  elib 2
28. A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 5
29. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1532–1534  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
30. N. V. Agrinskaya, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, M. A. Shakhov, E. Lahderanta, “Transition between electron localization and antilocalization and manifestation of the Berry phase in graphene on a SiC surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1512–1517  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1616–1620
31. P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1507–1511  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 3
32. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
33. V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  327–332  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 4
34. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. V. Lubimova, “The role of the charge state of surface atoms of a metal substrate in doping of quasi-free-standing graphene”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:23 (2018),  90–95  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1089–1091
35. P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:9 (2018),  34–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 11
2017
36. A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide”, Fizika Tverdogo Tela, 59:10 (2017),  2063–2065  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2089–2091 1
37. V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1116–1124  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 49
38. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
39. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
40. A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 6
41. S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:18 (2017),  64–72  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 7
2016
42. A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Fizika Tverdogo Tela, 58:7 (2016),  1432–1435  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 2
43. A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 86:3 (2016),  135–139  mathnet  elib; Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 16
44. A. A. Lebedev, “Growth, study, and device application prospects of graphene on SiC substrates”, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 7:1 (2016),  30–36  mathnet  isi 3
45. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6$H$-SiC (000$\bar1$) in vacuum”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  967–972  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 951–956
46. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Development of a spinodal decomposition model for the example of a heterostructure based on silicon carbide polytypes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:23 (2016),  66–71  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1153–1155 1
47. A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, S. N. Novikov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. B. Klimovich, M. P. Samoilovich, “Graphene-based biosensors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:14 (2016),  28–35  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 729–732 15
2011
48. A. A. Belevtsev, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, A. A. Lebedev, S. V. Podlesnykh, K. N. Firsov, “On stability of self-sustained volume discharge in working mixtures of non-chain electrochemical HF laser”, Kvantovaya Elektronika, 41:8 (2011),  703–708  mathnet  elib [Quantum Electron., 41:8 (2011), 703–708  isi  scopus] 8
1992
49. A. N. Starukhin, A. A. Lebedev, B. S. Razbirin, L. M. Kapitonova, “HIDDEN ANISOTROPY OF EMITTING TRANSITIONS IN POROUS SILICON”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:16 (1992),  60–63  mathnet
50. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, Y. N. Daluda, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “NATURE OF P-LAYER FORMED IN SEMICONDUCTING WAFER INTERFACES UNDER SOLID-PHASE DIRECT SILICON BONDING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:14 (1992),  51–56  mathnet
1991
51. K. P. Abdurakhmanov, G. S. Kulikov, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, Sh. A. Yusupova, “Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  1075–1078  mathnet
52. E. V. Astrova, I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, O. M. Ivleva, L. G. Lavrenteva, A. A. Lebedev, I. V. Teterkina, V. V. Chaldyshev, N. A. Chernov, Yu. V. Shmartsev, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
53. M. M. Anikin, A. S. Zubrilov, A. A. Lebedev, A. P. Strelchuk, A. E. Cherenkov, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  479–486  mathnet
54. M. M. Anikin, A. N. Andreev, A. A. Lebedev, S. N. Pyatko, M. G. Rastegaeva, N. S. Savkina, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  328–333  mathnet
1990
55. M. M. Anikin, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1384–1390  mathnet
56. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  549–552  mathnet
57. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, I. B. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “HYDROPHILIZATION OF A SURFACE UNDER THE DIRECT SILICON FUSION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990),  1–4  mathnet
1989
58. A. A. Lebedev, K. P. Abdurakhmanov, R. F. Vitman, N. B. Guseva, X. S. Daliev, Sh. B. Utemuradova, “Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2227–2229  mathnet
59. R. F. Vitman, N. A. Vitovskiy, A. A. Lebedev, T. V. Mashovets, L. V. Nalbandyan, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  2066–2069  mathnet
60. R. F. Vitman, N. B. Guseva, A. A. Lebedev, E. S. Taptygov, “Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  919–921  mathnet
61. A. A. Lebedev, V. I. Mitrokhin, S. I. Rembeza, V. V. Sviridov, M. N. Stepanova, N. P. Yaroslavtsev, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  897–899  mathnet
1988
62. N. T. Bagraev, A. A. Lebedev, V. A. Mashkov, I. S. Polovtsev, “Self-compensation of iron centers in silicon under optical pumping”, Fizika Tverdogo Tela, 30:7 (1988),  2076–2084  mathnet
63. R. F. Vitman, N. B. Guseva, A. A. Lebedev, A. A. Sitnikova, Sh. B. Utemuradova, “CARBON AND MANGANESE EFFECT ON THE FORMATION STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:11 (1988),  2272–2274  mathnet
64. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. P. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, V. E. Chelnokov, “Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  298–300  mathnet
65. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, S. N. Pyatko, V. P. Rastegaev, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  133–136  mathnet
66. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, “Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни платины в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  16–19  mathnet
67. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “SUPER HIGH-VOLTAGE SILICOR R-P-TRANSITIONS WITH THE BREAKDOWN PRESSURE HIGHER-THAN-20-KV”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:11 (1988),  972–975  mathnet
68. V. M. Botnaryk, Yu. V. Zhilyaev, A. G. Kechek, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, M. I. Shulga, “PREDOMINANT RECOMBINATION CENTERS IN PARA-GAAS LAYERS, OBTAINED BY PRECIPITATION FROM THE GAS-PHASE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:2 (1988),  181–185  mathnet
1987
69. Yu. F. Shulpyakov, R. F. Vitman, L. S. Vlasenko, A. N. Dremin, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, T. G. Utkina, “Properties of high pressure deformed silicon crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 29:5 (1987),  1486–1491  mathnet
70. A. A. Lebedev, E. S. Taptygov, E. A. Dzhafarova, “Photoionization Cross-Sections for Nickel Levels in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2237–2239  mathnet
71. A. G. Kechek, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, “Method to Increase Resolving Power of Nonstationary Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2228–2229  mathnet
72. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, “Piezocapacity Spectroscopy of Radiation-Induced Defects in $p$-Type Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2149–2151  mathnet
73. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, V. Ekke, “Effect of Thermal Treatment on the Density of Radiation-Induced Defects in the Dielectric and on the Semiconductor Surface of Silicon MDS Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  836–841  mathnet
74. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Effect of Uniaxial Pressure on Nonstationary Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Si$\langle$Zn$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  321–324  mathnet
75. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, V. Ekke, “Study of Electro physical Properties of Silicon MDS Structures Irradiated by $\gamma$-Quanta in the Presence of an Electric Field in the Dielectric”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  23–29  mathnet
76. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Study of the Effect of $\gamma$-Irradiation on the Spectrum of Deep Levels in Zinc-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  18–22  mathnet
77. L. S. Vlasenko, A. A. Lebedev, E. S. Taptygov, V. A. Khramcov, “New paramagnetic centers in nickel-alloyed silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:21 (1987),  1322–1326  mathnet
1986
78. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, A. L. Syrkin, A. V. Suvorov, “Capacity Spectroscopy of p${-}$n Junctions Based on Epitaxial $4H$-SiC Produced by Ionic Implantation of Al”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2169–2172  mathnet
79. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “Effect of Deep Levels on Breakdown Voltage of Diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2122–2125  mathnet
80. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Determination of Deep-Level Concentration in Semiconductor Bulk Using Nonstationary Capacity-Spectroscopy Data under Constant Capacity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1806–1810  mathnet
81. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Structures with Ionically Implanted p${-}$n Junction Based on Epitaxial $4H$-SiC with $S$-Like Current–Voltage Characteristic”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1654–1657  mathnet
82. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Study of Current-Voltage Characteristics of Diode Structures Based on Silicon Carbide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  844–848  mathnet
83. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Semiconductors under Photothermal Emission of Charge Carriers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  683–686  mathnet
84. K. P. Abdurakhmanov, K. S. Daliev, G. S. Kulikov, A. A. Lebedev, D. E. Nazirov, Sh. B. Utemuradova, “Study of Iron Interaction with Other Elements in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  185–186  mathnet
1985
85. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, A. A. Lebedev, “SOLID GOLD SOLUTION DECAY IN SILICON .2. DATA ON NUCLEAR MOMENT OPTICAL POLARIZATION STUDY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2162–2169  mathnet
86. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, A. A. Lebedev, “SOLID GOLD SOLUTION DECAY IN SILICON .1. DATA ON NUCLEAR-SPIN-LATTICE RELAXATION STUDY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2149–2161  mathnet
87. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Effect of Correlated Inhomogeneous Distribution of Surface Recombination Centers and Charges in Oxide on Minority Charge Carrier Generation under Capacitance Spectroscopy in MDS Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1971–1975  mathnet
88. A. A. Lebedev, V. Ekke, V. S. Yuferev, “Effect of Minority Charge Carrier Generation on the Capacity Spectroscopy of Surface States in MDS Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1791–1795  mathnet
89. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, B. M. Urunbaev, “Study of Thermal Defects in High-Resistance $n$-Type Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1709–1711  mathnet
90. K. P. Abdurakhmanov, K. S. Daliev, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, “DLTS Study of the $\gamma$-Irradiation Effect on the Properties of $n$-Туре Si$\langle$Mn$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1617–1619  mathnet
91. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, “Effect of Series Resistance of a Diode on Unsteady Capacitance Measurements of Deep-Level Parameters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1382–1385  mathnet
92. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Capacitance Measurements of Deep-Impurity Distribution Profile and Surface Concentration in Thin Doped Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1375–1381  mathnet
93. E. V. Astrova, V. M. Gontar, A. A. Lebedev, “Capacitance and Photoelectric Spectroscopy of Thallium Levels in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1273–1276  mathnet
94. Yu. F. Shulpyakov, A. A. Lebedev, K. P. Abdurakhmanov, Sh. B. Utemuradova, “Effect of High Hydrostatic Pressure on Activation Energy of Mn Levels in $n$-Туре Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1159–1161  mathnet
95. K. P. Abdurakhmanov, R. F. Vitman, K. S. Daliev, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, “Interaction of Oxygen with Manganese in $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1158–1159  mathnet
96. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, V. Ekke, “Evaluation of the Profile of Silicon Oxidation-Degree Distribution in Si$-$SiO$_{2}$ Transient Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1156–1158  mathnet
97. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Study of Deep-Center Density in Cathode-Sputtered SiO$_x$ Films Depending on the Degree of Silicon Oxidation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1087–1091  mathnet
98. Yu. F. Shulyshkov, R. F. Vitman, A. A. Lebedev, A. N. Dremin, “Effect of Plastic Deformation on the State of Oxygen and Carbon in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  982–986  mathnet
99. E. V. Astrova, I. B. Bolshakov, A. A. Lebedev, O. A. Mikhno, “Photoconduction of Selenium-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  919–922  mathnet
100. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Capacity Spectroscopy of Deep Levels in $n$-Si(Cr)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  917–919  mathnet
101. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Capacity Spectroscopy of Radiation-Induced Defects Produced in Si$-$SiO$_{2}$ Transient Layer under Cathode Sputterig”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  831–835  mathnet
102. E. V. Astrova, I. B. Bolshakov, A. A. Lebedev, O. A. Mikhno, “Energy Levels of Selenium in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  597–600  mathnet
103. K. P. Abdurakhmanov, B. A. Kotov, Z. A. Salnik, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, “Study of Fe in $n$-Type Si by ESR and Capacity Methods”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  349–350  mathnet
104. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Parameters of Deep Levels in Si$\langle$V$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  338–340  mathnet
105. K. P. Abdurakhmanov, A. A. Lebedev, Z. A. Salnik, Sh. B. Utemuradova, “Deep Levels in Silicon Related with Manganese”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  213–216  mathnet
106. L. M. Kapitonova, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, “Photoconduction of Chromium-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  162–164  mathnet
107. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, A. L. Syrkin, A. V. Suvorov, “Capacity-Spectroscopic Study of Deep Levels in SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  114–117  mathnet
1984
108. Yu. F. Shulpyakov, R. F. Vitman, A. A. Lebedev, A. N. Dremin, “Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработке”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1306–1307  mathnet
109. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. E. Sevastyanov, A. L. Sirkin, A. L. Suvorov, V. E. Chelnokov, G. P. Spynev, “RECTIFIER DIODE BASED ON SILICON-CARBIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984),  1053–1056  mathnet
110. R. F. Vitman, N. B. Guseva, A. A. Lebedev, “FACTORS, CONTRIBUTING TO 2ND-PHASE FORMATIONS IN NONCRUCIBLE SILICON”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984),  837–840  mathnet
1983
111. A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после диффузии серы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2152–2155  mathnet
112. V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, V. M. Rozhkov, “Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1344–1347  mathnet
2020
113. S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1383  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024