Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Nekorkin, Sergei Mikhailovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 22
Scientific articles: 22

Number of views:
This page:145
Abstract pages:2401
Full texts:1022
References:199
Senior Researcher
Candidate of physico-mathematical sciences
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person83417
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. M. V. Dorokhin, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, “Methods for switching radiation polarization in GaAs laser diodes”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:9 (2021),  1409–1414  mathnet  elib; Tech. Phys., 66:11 (2021), 1194–1199  scopus
2019
2. N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, “GaAs-based laser diode with InGaAs waveguide quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1718–1720  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1709–1711 3
3. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1159–1163  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 6
4. N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “MOS-hydride epitaxy growth of InGaAs/GaAs submonolayer quantum dots for the excitation of surface plasmon–polaritons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  345–350  mathnet  elib; Semiconductors, 53:3 (2019), 326–331
2018
5. I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1460–1463  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 1
6. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
7. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
8. A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Kvantovaya Elektronika, 48:4 (2018),  390–394  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  isi  scopus] 1
2017
9. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
10. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
11. B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. E. Kotomina, “Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1391–1394
12. N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:10 (2017),  1410–1413  mathnet  elib; Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363 1
13. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 5
14. S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, “Effect of active-region “volume” on the radiative properties of laser heterostructures with radiation output through the substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  75–78  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 73–77
2016
15. N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, “Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1576–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1554–1560 2
16. N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, D. A. Kolpakov, A. V. Ershov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1509–1512  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492
17. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
2015
18. N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Kvantovaya Elektronika, 45:3 (2015),  204–206  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206  isi  scopus] 1
2014
19. V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus 4
20. N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Kvantovaya Elektronika, 44:4 (2014),  286–288  mathnet  elib [Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  isi  scopus] 1
2013
21. V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus] 6
2012
22. S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Kvantovaya Elektronika, 42:10 (2012),  931–933  mathnet  elib [Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  isi  scopus] 9

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024