|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
1. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, Н. Р. Юнусова, “Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров”, Квантовая электроника, 54:2 (2024), 89–94 |
|
2023 |
2. |
В. И. Козловский, С. М. Женишбеков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Мощный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы”, Квантовая электроника, 53:12 (2023), 891–897 [V. I. Kozlovsky, S. M. Zhenishbekov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “High-power pulsed, in-well-pumped InGaP/AlGaInP heterostructure, semiconductor disk laser”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 3 (2024), S191–S200] |
3. |
С. О. Леонов, Т. В. Ерёмин, М. П. Фролов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, Е. Д. Образцова, В. И. Козловский, “Фемтосекундный Cr<sup>2+</sup>:ZnSe-лазер с синхронизацией мод на основе углеродных нанотрубок”, Квантовая электроника, 53:11 (2023), 867–872 [S. O. Leonov, T. V. Eremin, M. P. Frolov, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, E. D. Obraztsova, V. I. Kozlovsky, “Femtosecond Cr<sup>2+</sup>:ZnSe laser with mode-locking based on carbon nanotubes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S157–S164] |
4. |
В. И. Козловский, С. М. Женишбеков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк, “Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>As при оптической накачке с различной длиной волны излучения”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 636–640 [V. I. Kozlovsky, S. M. Zhenishbekov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Study of a semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a heterostructure with
Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>As quantum wells under optical pumping with different radiation wavelengths”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1348–S1355] |
1
|
|
2022 |
5. |
М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк, “Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al<sub>x</sub>Ga<sub>1– x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1– y</sub>As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 362–366 [M. R. Butaev, Ya. K. Skasyrsky, V. I. Kozlovsky, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1–y</sub>As heterostructure with optical and electron beam pumping”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 362–366 ] |
1
|
6. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, “Semiconductor laser based on a CdS/ZnSe heterostructure with longitudinal optical pumping by a laser diode”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 359–361 ] |
4
|
|
2020 |
7. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм”, Квантовая электроника, 50:10 (2020), 895–899 [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, “Nanosecond semiconductor disk laser emitting at 496.5 nm”, Quantum Electron., 50:10 (2020), 895–899 ] |
5
|
8. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа”, Квантовая электроника, 50:7 (2020), 683–687 [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, “Optically pumped semiconductor laser based on a type-II CdS/ZnSe heterostructure”, Quantum Electron., 50:7 (2020), 683–687 ] |
8
|
|
2019 |
9. |
А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, М. Р. Бутаев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, И. В. Яроцкая, “Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912 [A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, M. R. Butaev, N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, I. V. Yarotskaya, “Investigation of an electron-beam pumped VECSEL based on an InGaAs/AlGaAs heterostructure”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 909–912 ] |
1
|
10. |
Н. Г. Захаров, А. В. Захряпа, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, Р. С. Чуваткин, И. М. Юткин, “Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер с термоэлектрическим охлаждением”, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 641–648 [N. G. Zakharov, A. V. Zakhryapa, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, R. S. Chuvatkin, I. M. Yutkin, “Thermoelectrically cooled, repetitively pulsed Fe : ZnSe laser”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 641–648 ] |
2
|
|
2018 |
11. |
В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Наносекундный Fe : ZnSe-лазер, накачиваемый внутри резонатора Er : YLF-лазера с поперечной диодной накачкой и работающий при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 48:8 (2018), 686–690 [V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “Nanosecond room-temperature Fe : ZnSe laser pumped inside the resonator of a transversely diode-pumped Er : YLF laser”, Quantum Electron., 48:8 (2018), 686–690 ] |
4
|
|
2017 |
12. |
С. М. Ватник, И. А. Ведин, П. Ф. Курбатов, Е. А. Смолина, А. А. Павлюк, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, “Спектрально-генерационные характеристики мини-слэба N<sub>m</sub>-cut 5”, Квантовая электроника, 47:11 (2017), 981–985 [S. M. Vatnik, I. A. Vedin, P. F. Kurbatov, E. A. Smolina, A. A. Pavlyuk, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, “Spectral and power characteristics of a 5”, Quantum Electron., 47:11 (2017), 981–985 ] |
13. |
С. Д. Великанов, Е. М. Гаврищук, Н. Г. Захаров, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, В. И. Лазаренко, А. А. Манешкин, Ю. П. Подмарьков, Е. В. Салтыков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, В. С. Цыкин, Р. С. Чуваткин, И. М. Юткин, “Эффективная генерация Fe<sup>2+</sup> : ZnSe-лазера при комнатной температуре с накачкой излучением Er : YAG-лазера с пассивной модуляцией добротности”, Квантовая электроника, 47:9 (2017), 831–834 [S. D. Velikanov, E. M. Gavrishchuk, N. G. Zakharov, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, V. I. Lazarenko, A. A. Maneshkin, Yu. P. Podmar'kov, E. V. Saltykov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, V. S. Tsykin, R. S. Chuvatkin, I. M. Yutkin, “Efficient operation of a room-temperature Fe<sup>2+</sup> : ZnSe laser pumped by a passively Q-switched Er : YAG laser”, Quantum Electron., 47:9 (2017), 831–834 ] |
8
|
|
2016 |
14. |
С. К. Вартапетов, А. В. Захряпа, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, В. А. Михайлов, Ю. П. Подмарьков, И. Ю. Порофеев, Д. Е. Свиридов, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, И. М. Юткин, “Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов
ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера”, Квантовая электроника, 46:10 (2016), 903–910 [S. K. Vartapetov, A. V. Zakhryapa, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, V. A. Mikhailov, Yu. P. Podmar'kov, I. Yu. Porofeev, D. E. Sviridov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, I. M. Yutkin, “Study of the formation of a microrelief on ZnSe- and CdSe-crystal surfaces ablated by excimer KrF-laser radiaton”, Quantum Electron., 46:10 (2016), 903–910 ] |
4
|
15. |
С. Д. Великанов, А. Е. Дормидонов, Н. А. Зарецкий, С. Ю. Казанцев, В. И. Козловский, И. Г. Кононов, Ю. В. Коростелин, А. А. Манешкин, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, К. Н. Фирсов, М. П. Фролов, И. М. Юткин, “Лазер на монокристалле ZnS : Fe<sup>2+</sup>, возбуждаемый при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 769–771 [S. D. Velikanov, A. E. Dormidonov, N. A. Zaretskiy, S. Yu. Kazantsev, V. I. Kozlovsky, I. G. Kononov, Yu. V. Korostelin, A. A. Maneshkin, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, K. N. Firsov, M. P. Frolov, I. M. Yutkin, “Room-temperature Fe<sup>2+</sup> : ZnS single crystal laser pumped by an electric-discharge HF laser”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 769–771 ] |
4
|
|
2015 |
16. |
С. Д. Великанов, Н. А. Зарецкий, Е. А. Зотов, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, О. Н. Крохин, А. А. Манешкин, Ю. П. Подмарьков, С. А. Савинова, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, Р. С. Чуваткин, И. М. Юткин, “Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), 1–7 [S. D. Velikanov, N. A. Zaretskiy, E. A. Zotov, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, O. N. Krokhin, A. A. Maneshkin, Yu. P. Podmar'kov, S. A. Savinova, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, R. S. Chuvatkin, I. M. Yutkin, “Investigation of Fe:ZnSe laser in pulsed and repetitively pulsed regimes”, Quantum Electron., 45:1 (2015), 1–7 ] |
48
|
|
2013 |
17. |
В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, О. Г. Охотников, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, В. А. Акимов, “Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия c использованием непрерывного Cr<sup>2+</sup> : ZnSe-лазера с накачкой полупроводниковым дисковым лазером”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 885–889 [V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, O. G. Okhotnikov, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, V. A. Akimov, “Intracavity laser spectroscopy with a semiconductor disk laser-pumped cw Cr<sup>2+</sup> : ZnSe laser”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 885–889 ] |
11
|
|
2011 |
18. |
В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. И. Ландман, В. В. Миславский, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Импульсный Fe<sup>2+</sup>:ZnS-лазер с плавной перестройкой длины волны в области 3.49 — 4.65 мкм”, Квантовая электроника, 41:1 (2011), 1–3 [V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. I. Landman, V. V. Mislavskii, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “Pulsed Fe<sup>2+</sup>:ZnS laser continuously tunable in the wavelength range of 3.49 — 4.65 μm”, Quantum Electron., 41:1 (2011), 1–3 ] |
35
|
|
2010 |
19. |
В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. И. Ландман, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Непрерывный Cr<sup>2+</sup>:CdS-лазер”, Квантовая электроника, 40:1 (2010), 7–10 [V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. I. Landman, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “Continuous-wave Cr<sup>2+</sup>:CdS laser”, Quantum Electron., 40:1 (2010), 7–10 ] |
14
|
|
2009 |
20. |
В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, Я. К. Скасырский, М. Д. Тибери, “Лазер с внешним резонатором, работающий на длине волны 625 нм при оптической накачке наноструктуры InGaP/AlGaInP с брэгговским зеркалом”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 731–734 [V. I. Kozlovsky, B. M. Lavrushin, Ya. K. Skasyrsky, M. D. Tiberi, “Vertical-external-cavity surface-emitting 625-nm laser upon optical pumping of an InGaP/AlGaInP nanostructure with a Bragg mirror”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 731–734 ] |
10
|
|
2008 |
21. |
А. А. Воронов, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. И. Ландман, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Fe<sup>2+</sup>:ZnSe-лазер, работающий в непрерывном режиме”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1113–1116 [A. A. Voronov, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. I. Landman, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “A continuous-wave Fe<sup>2+</sup>:ZnSe laser”, Quantum Electron., 38:12 (2008), 1113–1116 ] |
60
|
22. |
В. А. Акимов, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. И. Ландман, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Лазер на основе кристалла Cr<sup>2+</sup>:CdS, перестраиваемый в спектральной области 2.2 — 3.3 мкм”, Квантовая электроника, 38:9 (2008), 803–804 [V. A. Akimov, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. I. Landman, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “A Cr<sup>2+</sup>:CdS laser tunable between 2.2 and 3.3 μm”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 803–804 ] |
4
|
23. |
В. А. Акимов, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. И. Ландман, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Эффективный импульсный Cr<sup>2+</sup>:CdSe-лазер с плавной перестройкой длины волны в спектральном диапазоне 2.26 — 3.61 мкм”, Квантовая электроника, 38:3 (2008), 205–208 [V. A. Akimov, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. I. Landman, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “Efficient pulsed Cr<sup>2+</sup>:CdSe laser continuously tunable in the spectral range from 2.26 to 3.61 μm”, Quantum Electron., 38:3 (2008), 205–208 ] |
54
|
|
2007 |
24. |
В. А. Акимов, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. И. Ландман, Ю. П. Подмарьков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, “Эффективная генерация Cr<sup>2+</sup>:CdSe-лазера в непрерывном режиме”, Квантовая электроника, 37:11 (2007), 991–992 [V. A. Akimov, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. I. Landman, Yu. P. Podmar'kov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, “Efficient cw lasing in a Cr<sup>2+</sup>:CdSe crystal”, Quantum Electron., 37:11 (2007), 991–992 ] |
19
|
25. |
И. П. Казаков, В. И. Козловский, В. П. Мартовицкий, Я. К. Скасырский, Ю. М. Попов, П. И. Кузнецов, Г. Г. Якущева, А. О. Забежайлов, Е. М. Дианов, “Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра”, Квантовая электроника, 37:9 (2007), 857–862 [I. P. Kazakov, V. I. Kozlovsky, V. P. Martovitskii, Ya. K. Skasyrsky, Yu. M. Popov, P. I. Kuznetsov, G. G. Yakushcheva, A. O. Zabezhailov, E. M. Dianov, “A ZnSe/ZnMgSSe nanostructure for a laser electron-beam tube emitting in the blue spectral region”, Quantum Electron., 37:9 (2007), 857–862 ] |
2
|
26. |
В. Ю. Бондарев, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, Ю. М. Попов, Д. Е. Свиридов, Я. К. Скасырский, “Лазерная электронно-лучевая трубка с монолитным лазерным экраном”, Квантовая электроника, 37:9 (2007), 853–856 [V. Yu. Bondarev, V. I. Kozlovsky, A. B. Krysa, Yu. M. Popov, D. E. Sviridov, Ya. K. Skasyrsky, “Laser cathode-ray tube with a monolithic laser screen”, Quantum Electron., 37:9 (2007), 853–856 ] |
3
|
|
2004 |
27. |
В. Ю. Бондарев, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, Ю. М. Попов, Я. К. Скасырский, “Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GaInP/AlGaInP с резонансно-периодическим усилением”, Квантовая электроника, 34:10 (2004), 919–923 [V. Yu. Bondarev, V. I. Kozlovsky, A. B. Krysa, Yu. M. Popov, Ya. K. Skasyrsky, “Uniformity of radiation from a laser CRT based on a low-dimensional GaInP/AlGaInP structure with resonance-periodic gain”, Quantum Electron., 34:10 (2004), 919–923 ] |
10
|
|
1998 |
28. |
В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 305–307 [V. I. Kozlovsky, P. A. Trubenko, E. M. Dianov, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, P. V. Shapkin, “Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 294–296 ] |
|
1983 |
29. |
В. И. Козловский, А. С. Насибов, Я. К. Скасырский, “Использование точечного катода из LaB<sub>6</sub> в лазерной ЭЛТ”, Квантовая электроника, 10:8 (1983), 1699–1700 [V. I. Kozlovsky, A. S. Nasibov, Ya. K. Skasyrsky, “Use of a point cathode made of LaB<sub>6</sub> in a laser cathode-ray tube”, Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1122 ] |
|
1979 |
30. |
А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. И. Решетов, Я. К. Скасырский, “Сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 6:3 (1979), 603–604 [A. S. Nasibov, A. N. Pechenov, Yu. M. Popov, V. I. Reshetov, Ya. K. Skasyrsky, “Scanning semiconductor laser with transverse electron-beam pumping”, Sov J Quantum Electron, 9:3 (1979), 360–361] |
|
|
|
1998 |
31. |
В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)”, Квантовая электроника, 25:6 (1998), 576 [V. I. Kozlovsky, P. A. Trubenko, E. M. Dianov, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, P. V. Shapkin, “Erratum: Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy [Quantum Electronics 28 (4) 294 - 296 (1998)]”, Quantum Electron., 28:5 (1998), 468 ] |
|