И. П. Казаков, В. И. Козловский, В. П. Мартовицкий, Я. К. Скасырский, Ю. М. Попов, П. И. Кузнецов, Г. Г. Якущева, А. О. Забежайлов, Е. М. Дианов, “Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра”, Квантовая электроника, 37:9 (2007), 857–862 [Quantum Electron., 37:9 (2007), 857

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 9, страницы 857–862 (Mi qe13530)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра

И. П. Казаков^a, В. И. Козловский^a, В. П. Мартовицкий^a, Я. К. Скасырский^a, Ю. М. Попов^a, П. И. Кузнецов^b, Г. Г. Якущева^b, А. О. Забежайлов^c, Е. М. Дианов^c

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Институт радиотехники и электроники РАН, г. Фрязино, Московская обл.
^c Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

PDF полного текста (178 kB) Список цитирования (2)

Аннотация: Эпитаксиальные слои ZnMgSSe и наноструктуры ZnSe/ZnMgSSe с квантовыми ямами выращены методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ПФЭМОС) на подложках из GaAs. Исследованы их структурные и люминесцентные свойства в зависимости от содержания Mg и S. Обнаружен распад твердого раствора ZnMgSSe на структурные фазы в образцах с шириной запрещенной зоны свыше 2.9 эВ при T = 300 К. Распад затрудняет создание эффективных лазеров. Показано, что высокая однородность кристаллической решетки барьерных слоев ZnMgSSe возможна в периодических наноструктурах ZnSe/ZnMgSSe, выращенных методом ПФЭМОС при T≈430°С. На основе таких структур реализован лазер с выходной мощностью 1.5 Вт на длине волны 458 нм при продольной накачке электронами с энергией 42 кэВ при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 24.01.2007

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2007, Volume 37, Issue 9, Pages 857–862
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2007v037n09ABEH013530

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 42.60.Lh

Образец цитирования: И. П. Казаков, В. И. Козловский, В. П. Мартовицкий, Я. К. Скасырский, Ю. М. Попов, П. И. Кузнецов, Г. Г. Якущева, А. О. Забежайлов, Е. М. Дианов, “Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра”, Квантовая электроника, 37:9 (2007), 857–862 [Quantum Electron., 37:9 (2007), 857–862]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe13530

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v37/i9/p857

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы