М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [Quantum Electron., 52:4 (2022), 359

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 4, страницы 359–361 (Mi qe18016)

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаев^ab, В. И. Козловский^ba, Я. К. Скасырский^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

PDF полного текста (674 kB) Список цитирования (4)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На ее основе изготовлен микрорезонатор с интерференционными диэлектрическими зеркалами. При комнатной температуре и продольной накачке микрорезонатора излучением импульсного лазерного диода на гетероструктуре InGaN/GaN с длиной волны 438 нм достигнута пиковая мощность излучения 110 мВт на длине волны 508 нм при длительности импульса 65 нс.

Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, полупроводниковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований	20-32-90022
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 20-32-90022).

Поступила в редакцию: 16.12.2021
Принята в печать: 16.12.2021

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, Volume 52, Issue 4, Pages 359–361
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL18016

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [Quantum Electron., 52:4 (2022), 359–361]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe18016

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i4/p359

Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	84
PDF полного текста:	8
Список литературы:	18
Первая страница:	11

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы