Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 4, страницы 359–361 (Mi qe18016)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаевab, В. И. Козловскийba, Я. К. Скасырскийa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На ее основе изготовлен микрорезонатор с интерференционными диэлектрическими зеркалами. При комнатной температуре и продольной накачке микрорезонатора излучением импульсного лазерного диода на гетероструктуре InGaN/GaN с длиной волны 438 нм достигнута пиковая мощность излучения 110 мВт на длине волны 508 нм при длительности импульса 65 нс.
Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, полупроводниковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-32-90022
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 20-32-90022).
Поступила в редакцию: 16.12.2021
Принята в печать: 16.12.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, Volume 52, Issue 4, Pages 359–361
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL18016
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [Quantum Electron., 52:4 (2022), 359–361]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18016
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i4/p359
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:101
    PDF полного текста:18
    Список литературы:30
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024