|
Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 4, страницы 359–361
(Mi qe18016)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Лазеры
Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода
М. Р. Бутаевab, В. И. Козловскийba, Я. К. Скасырскийa a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На ее основе изготовлен микрорезонатор с интерференционными диэлектрическими зеркалами. При комнатной температуре и продольной накачке микрорезонатора излучением импульсного лазерного диода на гетероструктуре InGaN/GaN с длиной волны 438 нм достигнута пиковая мощность излучения 110 мВт на длине волны 508 нм при длительности импульса 65 нс.
Ключевые слова:
газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, полупроводниковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка.
Поступила в редакцию: 16.12.2021 Принята в печать: 16.12.2021
Образец цитирования:
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [Quantum Electron., 52:4 (2022), 359–361]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe18016 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i4/p359
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 101 | PDF полного текста: | 18 | Список литературы: | 30 | Первая страница: | 12 |
|