Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа

Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 квантовых ям с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. Время жизни электронно-дырочных пар при низком уровне накачки, измеренное по спаду люминесценции, оценивается в ~10 нс. При комнатной температуре и продольной накачке излучением импульсно-периодического N₂-лазера достигнута пиковая мощность излучения полупроводникового лазера c микрорезонатором 7.2 Вт на длине волны 514 нм. Относительно низкий (0.35%) КПД лазера объясняется наличием усиленного спонтанного излучения, распространяющегося вдоль структуры. При поперечной накачке пиковая мощность и КПД лазера увеличиваются до 70 Вт и 3.5% .