Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм

Исследован полупроводниковый дисковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры, содержащей десять сдвоенных квантовых ям CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭМОС) на подложке GaAs. При комнатной температуре и продольной накачке излучением импульсно-периодического N₂-лазера достигнута пиковая мощность излучения полупроводникового дискового лазера 0.75 Вт на длине волны 496.5 нм при длительности импульса 3 нс и частоте следования 100 Гц. Дифференциальная эффективность дискового лазера составила 2.7%. При длине резонатора лазера 1.1 мм полный угол расходимости излучения изменялся от 5 мрад вблизи порога генерации до 15 мрад при максимальной мощности накачки.