Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера

На поверхностях кристаллов CdSe и ZnSe были сформированы одномерные решетки с периодом 0.5–2.3 мкм при абляции двумя интерферирующими пучками излучения наносекундного эксимерного KrF-лазера. Исследованы зависимости формы и глубины решетки от плотности энергии при облучении одиночным импульсом, а также от числа импульсов при заданной плотности энергии. Максимальная глубина решетки составила ~0.57 периода. Путем нанесения одномерной решетки с периодом 1.5 мкм и глубиной 0.53 мкм на поверхность кристалла CdSe получено просветление этой поверхности на длине волны 4 мкм. Отражение от поверхности уменьшилось на 88%. Продемонстрирована возможность нанесения двумерных решеток с периодами 1 и 1.5 мкм.