А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, М. Р. Бутаев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, И. В. Яроцкая, “Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912 [Quantum Electron., 49:10 (2019), 909

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 10, страницы 909–912 (Mi qe17132)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком

А. Ю. Андреев^a, Т. А. Багаев^a, М. Р. Бутаев^bc, Н. А. Гамов^d, Е. В. Жданова^d, М. М. Зверев^db, В. И. Козловский^bc, Я. К. Скасырский^b, И. В. Яроцкая^a

^a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^d Московский технологический университет «МИРЭА», г. Москва

PDF полного текста (1116 kB) Список цитирования (1)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследован поверхностно-излучающий полупроводниковый лазер с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком. Методом осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы были выращены две отличающиеся дизайном структуры, которые содержали 10 квантовых ям и встроенное брэгговское зеркало. При импульсно-периодическом возбуждении электронным пучком (50 Гц, 250 нс) достигнута пиковая мощность 5.5 Вт на длине волны 1.062 мкм и 2.5 Вт на длине волны 1.013 мкм с полным углом расходимости не более 20 мрад.

Ключевые слова: поверхностно-излучающий полупроводниковый лазер с внешним зеркалом, структура InGaAs/AlGaAs, электронный пучок.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований	18-02-00436
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.a03.21.0005
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 18-02-00436) и Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (Договор № 02.a03.21.0005)

Поступила в редакцию: 23.05.2019

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 10, Pages 909–912
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17066

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, М. Р. Бутаев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, И. В. Яроцкая, “Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912 [Quantum Electron., 49:10 (2019), 909–912]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17132

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i10/p909

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы