|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 45   ; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1578 ; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 |
1
|
| 3. |
М. А. Елистратова, Д. С. Полоскин, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 921–925 ; M. A. Elistratova, D. S. Poloskin, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Dynamics of changes in the photoluminescence of porous silicon after gamma irradiation”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1051–1055 |
1
|
| 4. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Е. М. Михайлов, Д. С. Полоскин, А. А. Скиданов, “Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1682–1686 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, E. M. Mikhailov, D. S. Poloskin, A. A. Skidanov, “Analysis of integrated thyristor switching-off by a reverse gate pulse current”, Tech. Phys., 62:11 (2017), 1684–1688 |
2
|
| 6. |
V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1632–1646 ; Semiconductors, 51:12 (2017), 1571–1587 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1313–1319 ; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 |
8
|
| 8. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
|
2011 |
| 9. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 120–124 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Suppression of the virtual anderson transition in the impurity band of doped quantum well structures”, JETP Letters, 94:2 (2011), 116–120   |
4
|
|
2007 |
| 10. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 202–207 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Virtual Anderson transition in a narrow impurity band of doped $p$-GaAs/AlGaAs layers”, JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173 |
9
|
|
2004 |
| 11. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004), 36–40 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Transition from strong to weak localization in the split-off impurity band in two-dimensional p-GaAs/AlGaAs structures”, JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34 |
16
|
|
1985 |
| 12. |
Н. Т. Баграев, В. А. Машков, Д. С. Полоскин, “Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:9 (1985), 568–573 |
|
Обратная связь: