|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 3, страницы 202–207
(Mi jetpl970)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
В сильно легированных, некомпенсированных слоях квантовых ям $p$-GaAs/AlGaAs при низких температурах наблюдалась активационная проводимость с малыми энергиями активации, которая не объясняется известными механизмами ($\varepsilon_4$-проводимость). Мы связываем такое поведение с делокализацией электронных состояний в окрестности максимума узкой примесной зоны в смысле перехода Андерсона. Проводимость при этом осуществляется за счет активации неосновных носителей с уровня Ферми в указанную зону делокализованных состояний.
Поступила в редакцию: 25.12.2006
Образец цитирования:
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 202–207; JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl970 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i3/p202
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 213 | PDF полного текста: | 66 | Список литературы: | 39 |
|