Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 3, страницы 202–207 (Mi jetpl970)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs

Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Список литературы:
Аннотация: В сильно легированных, некомпенсированных слоях квантовых ям $p$-GaAs/AlGaAs при низких температурах наблюдалась активационная проводимость с малыми энергиями активации, которая не объясняется известными механизмами ($\varepsilon_4$-проводимость). Мы связываем такое поведение с делокализацией электронных состояний в окрестности максимума узкой примесной зоны в смысле перехода Андерсона. Проводимость при этом осуществляется за счет активации неосновных носителей с уровня Ферми в указанную зону делокализованных состояний.
Поступила в редакцию: 25.12.2006
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, Volume 85, Issue 3, Pages 169–173
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364007030083
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.21.-b
Образец цитирования: Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 202–207; JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgrKozPol07}
\by Н.~В.~Агринская, В.~И.~Козуб, Д.~С.~Полоскин
\paper Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 85
\issue 3
\pages 202--207
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl970}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 85
\issue 3
\pages 169--173
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007030083}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000245789500008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-34247370972}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl970
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i3/p202
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:213
    PDF полного текста:66
    Список литературы:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024