Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям

В сильнолегированных слоях квантовых ям $p$-GaAs/AlGaAs при низких температурах мы ранее наблюдали активационную проводимость с малыми энергиями активации. Мы связывали ее с делокализацией электронных состояний в окрестности максимума узкой примесной зоны в смысле перехода Андерсона. Возможность такой делокализации при сравнительно малых концентрациях примесей связана с узостью примесной зоны в условиях слабого беспорядка. При этом носители, ответственные за перенос заряда, активировались из “хвоста” зоны, их наличие было связано с фоновой (слабой) компенсацией. В настоящей работе мы прослеживаем зависимость вышеуказанного "виртуального" перехода Андерсона от внешней компенсации и от концентрации примесей. Установлено, что рост компенсации изначально не влияет на переход Андерсона. Однако при больших степенях компенсации он приводит к его подавлению за счет роста беспорядка. Рост концентрации изначально также приводит к подавлению перехода Андерсона за счет беспорядка, связанного с частичным перекрытием зон Хаббарда. Однако при достаточно больших концентрациях проводимость становится металлической благодаря переходу Мотта.