Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока

Для повышения предельной плотности силового тока при выключении интегрального $n^{+}p'Nn'p^{+}$-тиристора импульсом тока в цепи управления необходимо прервать инжекцию электронов из $n^{+}$-эмиттера раньше начала восстановления коллекторного $p'N$-перехода. Это осуществляется с помощью быстро нарастающего импульса запирающего базового тока с амплитудой, равной амплитуде выключаемого тока. После обрыва инжекции эмиттера обратный ток через прибор является током дырок, выводимых из приколлекторной области через базовый электрод. Физическим механизмом, ограничивающим предельную плотность выключаемого тока в этом процессе, является, как и в IGBT-транзисторах, динамический лавинный пробой, инициируемый дырками, выводимыми через область объемного заряда коллекторного $p'N$-перехода.