Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 80, выпуск 1, страницы 36–40 (Mi jetpl2045)  
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs

Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (312 kB) Список цитирования (16)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В двумерных модуляционно легированных структурах GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As наблюдался кроссовер от сильно локализационного поведения к слабой локализации (WL–SL) с ростом концентрации примесей в яме. При этом наблюдалось изменение характера низкотемпературной зависимости проводимости (от экспоненциальной к логарифмической), а также изменение знака магнетосопротивления (от линейного отрицательного к корневому положительному). Для 2D структур показано, что этот переход происходит в примесной зоне, отделенной от валентной зоны щелью подвижности, тогда как значение эффективной массы в примесной зоне больше, чем в валентной зоне.
Поступила в редакцию: 08.04.2004
Исправленный вариант: 19.05.2004
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 80, Issue 1, Pages 30–34
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1800210
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.21.-b
Образец цитирования: Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004), 36–40; JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgrKozPol04}
\by Н.~В.~Агринская, В.~И.~Козуб, Д.~С.~Полоскин, А.~В.~Черняев, Д.~В.~Шамшур
\paper Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 80
\issue 1
\pages 36--40
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2045}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..80...30A}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 80
\issue 1
\pages 30--34
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1800210}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20444491167}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2045
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v80/i1/p36
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:199
    PDF полного текста:81
    Список литературы:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024