|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
М. А. Елистратоваa, Д. С. Полоскинa, Д. Н. Горячевa, И. Б. Захароваb, О. М. Среселиa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Представлены результаты исследования реадиационной стабильности нанопористого кремния в условиях $\gamma$-облучения. Изменения, происходящие в структуре пористого кремния под действием $\gamma$-облучения, регистрировались с помощью спектров фотолюминесценции и фурье-спектров пропускания в инфракрасной области. Было показано, что помимо появления точечных дефектов и последующего окисления наблюдаются существенные отличия в поведении свойств пористого кремния по сравнению с объемным кремнием, обусловленные квантово-размерной природой нанопористого кремния.
Поступила в редакцию: 21.12.2017 Принята в печать: 25.12.2017
Образец цитирования:
М. А. Елистратова, Д. С. Полоскин, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 921–925; Semiconductors, 52:8 (2018), 1051–1055
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5764 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p921
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 8 |
|