Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 921–925
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46220.8807 (Mi phts5764) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения

М. А. Елистратоваa, Д. С. Полоскинa, Д. Н. Горячевa, И. Б. Захароваb, О. М. Среселиa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (346 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46220.8807
Аннотация: Представлены результаты исследования реадиационной стабильности нанопористого кремния в условиях $\gamma$-облучения. Изменения, происходящие в структуре пористого кремния под действием $\gamma$-облучения, регистрировались с помощью спектров фотолюминесценции и фурье-спектров пропускания в инфракрасной области. Было показано, что помимо появления точечных дефектов и последующего окисления наблюдаются существенные отличия в поведении свойств пористого кремния по сравнению с объемным кремнием, обусловленные квантово-размерной природой нанопористого кремния.
Поступила в редакцию: 21.12.2017
Принята в печать: 25.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1051–1055
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Елистратова, Д. С. Полоскин, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 921–925; Semiconductors, 52:8 (2018), 1051–1055
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EliPolGor18}
\by М.~А.~Елистратова, Д.~С.~Полоскин, Д.~Н.~Горячев, И.~Б.~Захарова, О.~М.~Сресели
\paper Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 921--925
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5764}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46220.8807}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269437}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1051--1055
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080067}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5764
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p921
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025