Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Копьев Петр Сергеевич
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person50447
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кандратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, M. Kandratov, I. Gordeev, A. E. Grishin, A. E. Kazakova, P. S. Gavrina, K. Bakhvalov, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power multimode semiconductor lasers (976 nm) based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide and reduced vertical divergence”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S976–S983]
2022
2. С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями”, Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165  mathnet [S. O. Slipchenko, D. A. Veselov, V. V. Zolotarev, A. V. Lyutetskiy, A. A. Podoskin, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power laser diodes based on InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs heterostructures with low internal optical losses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512] 7
3. С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой”, Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342  mathnet [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power quasi-cw semiconductor lasers (1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 340–342  scopus] 3
4. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм”, Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. A. Veselov, L. S. Efremov, V. V. Zolotarev, A. E. Kazakova, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “Vertical stacks of pulsed (100 ns) mesa-stripe semiconductor lasers with an ultra-wide (800 μm) aperture emitting kilowatt-level peak power at a wavelength of 1060 nm”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 171–173  isi  scopus] 7
2021
5. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348  mathnet  elib; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, N. V. Voronkova, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power CW InGaAs/AlGaAs (1070 nm) lasers with a broadened lateral waveguide of a mesa-stripe structure”, Semiconductors, 55:4 (2021), 455–459 6
6. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45  mathnet  elib; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Output optical power dynamics of semiconductor lasers (1070 nm) with a few-mode lateral waveguide of mesa-stripe design at ultrahigh drive currents”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 368–371 1
7. П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132  mathnet  elib [P. S. Gavrina, A. A. Podoskin, E. V. Fomin, D. A. Veselov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Light–current characteristics of high-power pulsed semiconductor lasers (1060 nm) operating at increased (up to 90 °C) temperatures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 129–132  isi  scopus] 6
2020
8. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 2
9. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419  mathnet  elib; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Single-mode lasers (1050 nm) of mesa-stripe design based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide”, Semiconductors, 54:4 (2020), 489–494 5
10. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413  mathnet 1
11. В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв, “Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ”, Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152  mathnet  elib [V. S. Golovin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Longitudinal spatial hole burning in high-power semiconductor lasers: numerical analysis”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 147–152  isi  scopus] 10
2016
12. Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179  mathnet  elib; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 2
2013
13. Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422  mathnet  elib [E. V. Lutsenko, A. G. Voinilovich, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, M. Alanzi, A. Hamidalddin, A. Alyamani, “Optically pumped quantum-dot Cd(Zn)Se/ZnSe laser and microchip converter for yellow–green spectral region”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422  isi  scopus] 13
2009
14. Т. В. Шубина, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. С. Копьев, “Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N”, УФН, 179:9 (2009),  1007–1012  mathnet; T. V. Shubina, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, P. S. Kop'ev, “Plasmon effects in In(Ga)N nanostructures”, Phys. Usp., 52:9 (2009), 949–953  isi  scopus 3
2004
15. Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, П. С. Копьев, “Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов”, Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  674–679  mathnet; Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, P. S. Kop'ev, “Effect of the spin-orbit interaction on the cyclotron resonance of two-dimensional electrons”, JETP Letters, 79:11 (2004), 545–549  scopus 5
16. М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911  mathnet [M. M. Zverev, D. V. Peregoudov, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Low-threshold electron-beam-pumped green quantum-well heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 34:10 (2004), 909–911  isi] 12
2002
17. А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262  mathnet; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226  scopus 2
18. Ю. Б. Васильев, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев, “Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода”, Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466  mathnet; Yu. B. Vasil'ev, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu. L. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures”, JETP Letters, 75:8 (2002), 391–394  scopus 1
1999
19. С. В. Иванов, П. С. Копьев, А. А. Торопов, “Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А<sup>2</sup>В<sup>6</sup>”, УФН, 169:4 (1999),  468–471  mathnet; S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, A. A. Toropov, “Blue-green lasers based on short-period superlattices in II—VI compounds”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 399–402  isi 3
20. Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999),  459–464  mathnet; L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396  isi 10
1997
21. Д. Бимберг, И. П. Ипатова, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, В. Г. Малышкин, В. А. Щукин, “Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур”, УФН, 167:5 (1997),  552–555  mathnet; D. Bimberg, I. P. Ipatova, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. G. Malyshkin, V. A. Shchukin, “Spontaneous ordering of semiconductor nanostructures”, Phys. Usp., 40:5 (1997), 529–532 12
1996
22. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi 18
1995
23. Ж. И. Алфёров, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, “Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками”, УФН, 165:2 (1995),  224–225  mathnet; Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216  isi 5
1992
24. Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
1991
25. А. Ю. Егоров, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. В. Мамутин, “Выращивание соединений в системе Yb$-$Ba$-$Cu$-$O с использованием молекулярного пучка BaO”, ЖТФ, 61:8 (1991),  106–114  mathnet  isi
26. С. Ю. Карпов, П. С. Копьев, А. Л. Тер-Мартиросян, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, “Исследование взаимного теплового влияния элементов лазерной линейки, работающей в квазинепрерывном режиме”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1361–1365  mathnet
1990
27. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, “Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1691–1693  mathnet
28. П. С. Копьев, Д. Н. Мирлин, Д. Г. Поляков, И. И. Решина, В. Ф. Сапега, А. А. Сиренко, “Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1200–1208  mathnet
29. П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
30. Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363  mathnet
31. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361  mathnet
32. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203  mathnet
33. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
34. А. В. Бобыль, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, А. М. Минтаиров, В. М. Устинов, “Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95  mathnet  isi
35. A. M. Васильев, П. С. Копьев, B. C. Лысенко, А. Н. Назаров, Г. А. Наумовец, В. Б. Попов, А. С. Ткаченко, В. М. Устинов, “Влияние водорода на оптические и транспортные свойства эпитаксиальных слоев AlGaAs : Si”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  1–5  mathnet  isi
1989
36. А. М. Васильев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2133–2137  mathnet
37. С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. Ю. Некрасов, А. Г. Пахомов, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1564–1567  mathnet
38. П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1382–1385  mathnet
39. П. С. Копьев, И. И. Решина, “Спектр поглощения структур с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1316–1318  mathnet
40. П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1110–1113  mathnet
41. В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848  mathnet
42. П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71  mathnet  isi
43. П. С. Копьёв, И. Н. Уральцев, “Энергетический спектр кулоновских состояний в квантовой яме”, УФН, 157:3 (1989),  545–547  mathnet; P. S. Kop'ev, I. N. Ural'tsev, “The energy spectrum of Coulomb states in a quantum well”, Phys. Usp., 32:3 (1989), 280–281
1988
44. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов Н. Н., “Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1729–1742  mathnet
45. Е. Л. Ивченко, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. А. Калитиевский, “Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  784–788  mathnet
46. П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  597–603  mathnet
47. П. С. Копьев, И. Н. Уральцев, Ал. Л. Эфрос, Д. Р. Яковлев, А. В. Винокурова, “Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  424–432  mathnet
48. Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet  isi 5
1987
49. А. В. Акимов, А. А. Каплянский, В. И. Козуб, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Воздействие акустических фононных импульсов на примесную люминесценцию полупроводниковых структур с квантовыми ямами”, Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1843–1847  mathnet  isi 1
1986
50. П. С. Копьев, В. Д. Кулаковский, Б. Я. Мельцер, Б. Н. Шепель, “Внутрибарьерное рекомбинационное излучение многослойных структур GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1184–1189  mathnet
51. А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356  mathnet
52. Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565  mathnet  isi
1985
53. Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147  mathnet  isi
54. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
1984
55. П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
56. Б. Я. Бер, А. Э. Гольберг, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754  mathnet
1978
57. Ж. И. Алферов, М. И. Беловолов, А. Т. Гореленок, А. Н. Гурьянов, Г. Г. Девятых, Е. М. Дианов, А. Я. Карасик, В. И. Колышкин, П. С. Копьев, А. М. Прохоров, А. С. Юшин, “Волоконно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2486–2488  mathnet [Zh. I. Alferov, M. I. Belovolov, A. T. Gorelenok, A. N. Gur'yanov, G. G. Devyatykh, E. M. Dianov, Ya. Karasik, V. I. Kolyshkin, P. S. Kop'ev, A. M. Prokhorov, A. S. Yushin, “Fiber-optical long-distance telecommunication line operating at the wavelength of 1.3 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1403–1404] 2
2021
58. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet
2019
59. А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, Е. П. Велихов, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, А. А. Каплянский, П. С. Копьев, Г. Я. Красников, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Памяти Жореса Ивановича Алферова”, УФН, 189:8 (2019),  899–900  mathnet; A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, E. P. Velikhov, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, A. A. Kaplyanskii, P. S. Kop'ev, G. Ya. Krasnikov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “In memory of Zhores Ivanovich Alferov”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 839–840  isi
2000
60. А. Ф. Андреев, Е. П. Велихов, В. Е. Голант, Ю. В. Гуляев, Б. П. Захарченя, Л. В. Келдыш, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Ю. А. Осипьян, A. М. Прохоров, Р. А. Сурис, “Жорес Иванович Алферов (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 170:3 (2000),  349–350  mathnet; A. F. Andreev, E. P. Velikhov, V. E. Golant, Yu. V. Gulyaev, B. P. Zakharchenya, L. V. Keldysh, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, Yu. A. Osip'yan, A. M. Prokhorov, R. A. Suris, “Zhores Ivanovich Alferov (on his seventieth birthday)”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 307–308  isi 1

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024