|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2171–2172  [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363  ] |
40
|
|
1986 |
| 2. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397 ] |
2
|
|
1985 |
| 3. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309–1311 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870 ] |
26
|
|
1984 |
| 4. |
А. Г. Белов, А. И. Белогорохов, А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Г. М. Зингер, М. А. Ильин, П. Ю. Карасев, М. Г. Мильвидский, Д. А. Рзаев, А. И. Рыскин, “Оптические свойства Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 145–150 |
| 5. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
| 6. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441 ] |
3
|
| 7. |
М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633 [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432 ] |
1
|
|
1982 |
| 8. |
Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238 ] |
| 9. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127 ] |
|
1981 |
| 10. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209 ] |
2
|
|
1980 |
| 11. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148 ] |
2
|
| 12. |
Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 91–96 [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53 ] |
9
|
|
1978 |
| 13. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
| 14. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] |
19
|
| 15. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, А. Н. Лапшин, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, М. Г. Мильвидский, “Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 126–128 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] |
2
|
|
1977 |
| 16. |
О. И. Даварашвили, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, “Многокомпонентные твердые растворы соединений A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>”, Квантовая электроника, 4:4 (1977), 904–907 [O. I. Davarashvili, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, “Multicomponent solid solutions of IV-VI compounds”, Sov J Quantum Electron, 7:4 (1977), 508–510] |
2
|
|
1976 |
| 17. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, С. П. Прокофьева, В. П. Цыганов, Е. Г. Шевченко, “Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub> и Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2490–2494 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, S. P. Prokof'eva, V. P. Tsyganov, E. G. Shevchenko, “Spontaneous and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub>, and Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1367–1369] |
| 18. |
Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, “Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1381–1393 [L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, “Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753] |
11
|
| 19. |
Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As”, Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084 [R. Altynbaev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Investigation of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As injection heterolasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579] |
| 20. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
| 21. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм”, Квантовая электроника, 3:2 (1976), 465–466 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] |
11
|
|
1974 |
| 22. |
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> и Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2294–2295 [A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] |
66
|
| 23. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Параметры лазеров на Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As с электронной накачкой в видимой области спектра”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 178–180 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, B. M. Stepanov, “Parameters of electron-beam-pumped <nobr>Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As</nobr> lasers in the visible part of the spectrum”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 104–105] |
|
|
|
1988 |
| 24. |
Л. М. Долгинов, “Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 233 с.”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1334–1335 |
|
Обратная связь: