|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
М. Б. Успенский, “Обзор подходов к обнаружению сбоев в системах хранения данных”, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление, 12:4 (2019), 145–158  |
|
2016 |
| 2. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. С. Мешков, В. Н. Пенкин, В. И. Романцевич, М. Б. Успенский, Р. В. Чернов, “Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов”, ЖТФ, 86:10 (2016), 83–88  ; A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. S. Meshkov, V. N. Penkin, V. I. Romantsevich, M. B. Uspenskiy, R. V. Chernov, “Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities”, Tech. Phys., 61:10 (2016), 1525–1530 |
|
2011 |
| 3. |
Е. И. Давыдова, В. В. Дмитриев, Ю. Ю. Козлов, И. А. Кукушкин, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Повышение порога оптического разрушения фронтального зеркала полупроводникового лазера при пассивации ZnSe”, Квантовая электроника, 41:5 (2011), 423–426 [E. I. Davydova, V. V. Dmitriev, Yu. Yu. Kozlov, I. A. Kukushkin, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Increase in the optical damage threshold of a ZnSe-passivated front mirror of a laser diode”, Quantum Electron., 41:5 (2011), 423–426   ] |
1
|
|
2010 |
| 4. |
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 697–699 [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699 ] |
3
|
| 5. |
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 682–684 [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684 ] |
5
|
| 6. |
А. А. Лобинцов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820 — 860 нм”, Квантовая электроника, 40:4 (2010), 305–309 [A. A. Lobintsov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Highly efficient semiconductor optical amplifier for the 820—860-nm spectral range”, Quantum Electron., 40:4 (2010), 305–309 ] |
8
|
|
2009 |
| 7. |
Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 723–726 [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726 ] |
14
|
| 8. |
Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18–20 [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20 ] |
3
|
|
2005 |
| 9. |
А. В. Зубанов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Влияние энергии при ионно-химическом травлении структур GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As на фотолюминесценцию и деградацию приборов”, Квантовая электроника, 35:5 (2005), 445–448 [A. V. Zubanov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Effect of the energy of ion-chemical etching of GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As structures on photoluminescence and degradation of devices”, Quantum Electron., 35:5 (2005), 445–448 ] |
1
|
|
2004 |
| 10. |
Е. И. Давыдова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы”, Квантовая электроника, 34:9 (2004), 805–808 [E. I. Davydova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Single-mode ridge lasers fabricated in an inductively coupled plasma source”, Quantum Electron., 34:9 (2004), 805–808 ] |
1
|
|
2002 |
| 11. |
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1099–1104 [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104 ] |
21
|
|
2001 |
| 12. |
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659–660 [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660 ] |
5
|
|
1992 |
| 13. |
Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031 [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960 ] |
4
|
|
Обратная связь: