Влияние энергии при ионно-химическом травлении структур GaAs/AlxGa1-xAs на фотолюминесценцию и деградацию приборов

Исследован процесс ионно-химического травления мезаполосок в эпитаксиальных структурах GaAs/Al_xGa_1-xAs с использованием системы с источником трансформаторно-связанной плазмы. Достоинством системы является высокая плотность плазмы в зоне обработки и, как следствие, низкая энергия ионов (100–200 эВ), которую можно регулировать независимо от уровня ВЧ мощности. Реализован процесс формирования узких (3–5 мкм) мезаполосок с наклоном боковых стенок ~85° и разбросом значений геометрических размеров ±1% в зоне обработки диаметром d=150 мм. Показано, что в отличие от ВЧ травления спад интенсивности фотолюминесценции в структурах GaAs/Al_xGa_1-xAs стабилизируется на уровне 15%—20% от исходного значения даже в случае приближения обрабатываемой поверхности к активной области на расстояние 100— 150Å. Проведены сравнительные испытания суперлюминесцентных диодов гребневидной конструкции, изготовленных с использованием источников ВЧ и трансформаторно-связанной плазмы.