|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Х. Х. Кумыков, А. В. Усков, В. В. Безотосный, “Анализ устройства на основе многосердцевинного световода с коническим сужением сердцевин для суммирования излучения в многоканальных лазерных системах”, Квантовая электроника, 53:12 (2023), 905–911  [Kh. Kh. Kumykov, A. V. Uskov, V. V. Bezotosnyi, “Analysis of a device based on a multicore fiber with tapering cores for radiation summation in multichannel laser systems”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 3 (2024), S207–S216] |
|
2022 |
| 2. |
В. П. Гордеев, В. А. Олещенко, В. В. Безотосный, “Термоупругие напряжения в мощных непрерывных линейках лазерных диодов, смонтированных на сабмаунтах из CuW и AlN”, Квантовая электроника, 52:5 (2022), 443–448 [V. P. Gordeev, V. A. Oleshchenko, V. V. Bezotosnyi, “Thermoelastic stresses in high-power CW diode laser arrays assembled on CuW and AlN submounts”, Quantum Electron., 52:5 (2022), 443–448  ] |
|
2021 |
| 3. |
В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный, “Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя”, Квантовая электроника, 51:3 (2021), 196–200  [V. A. Oleshchenko, A. P. Bogatov, N. V. D'yachkov, V. V. Bezotosnyi, “Simulation of a two-dimensional laser diode array directly cooled by coolant flow”, Quantum Electron., 51:3 (2021), 196–200  ] |
2
|
|
2020 |
| 4. |
В. А. Олещенко, В. В. Безотосный, В. Ю. Тимошенко, “Разогрев водных суспензий наночастиц кремния при воздействии излучения лазерного диода с длиной волны 808 нм для применений в методе локальной фотогипертермии”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 104–108 [V. A. Oleshchenko, V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Timoshenko, “Heating of aqueous suspensions of silicon nanoparticles by a 808-nm diode laser for application in local photohyperthermia”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 104–108 ] |
6
|
|
2018 |
| 5. |
В. В. Безотосный, В. В. Балашов, В. Д. Булаев, А. А. Каминский, А. Ю. Канаев, В. Б. Кравченко, А. В. Киселев, Ю. Л. Копылов, А. Л. Коромыслов, О. Н. Крохин, К. В. Лопухин, С. Л. Лысенко, М. А. Панков, К. А. Полевов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, И. М. Тупицын, “Генерационные характеристики новых лазерных керамик отечественного производства”, Квантовая электроника, 48:9 (2018), 802–806 [V. V. Bezotosnyi, V. V. Balashov, V. D. Bulaev, A. A. Kaminskii, A. Yu. Kanaev, V. B. Kravchenko, A. V. Kiselev, Yu. L. Kopylov, A. L. Koromyslov, O. N. Krokhin, K. V. Lopukhin, S. L. Lysenko, M. A. Pankov, K. A. Polevov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, I. M. Tupitsyn, “Lasing characteristic of new Russian laser ceramics”, Quantum Electron., 48:9 (2018), 802–806 ] |
10
|
| 6. |
В. В. Безотосный, В. П. Гордеев, В. А. Олещенко, “Влияние уровня накачки на однородность распределения мощности и спектра по излучающей апертуре непрерывных линеек лазерных диодов”, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 502–505 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Gordeev, V. A. Oleshchenko, “Effect of pumping level on the uniformity of the power and spectrum distributions over the emitting aperture of cw laser diode bars”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 502–505 ] |
3
|
| 7. |
В. В. Безотосный, В. П. Гордеев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках”, Квантовая электроника, 48:2 (2018), 115–118 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Gordeev, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Modelling and experimental study of temperature profiles in cw laser diode bars”, Quantum Electron., 48:2 (2018), 115–118 ] |
4
|
|
2017 |
| 8. |
В. В. Безотосный, А. А. Козырев, Н. С. Кондакова, С. А. Кондаков, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм”, Квантовая электроника, 47:1 (2017), 5–6 [V. V. Bezotosnyi, A. A. Kozyrev, N. S. Kondakova, S. A. Kondakov, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Quasi-cw 808-nm 300-W laser diode arrays”, Quantum Electron., 47:1 (2017), 5–6 ] |
4
|
|
2016 |
| 9. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт”, Квантовая электроника, 46:8 (2016), 679–681 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Spectral features and thermal resistance of 976-nm cw laser diodes with a power up to 15 W”, Quantum Electron., 46:8 (2016), 679–681 ] |
9
|
|
2015 |
| 10. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов”, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1088–1090 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “980-nm, 15-W cw laser diodes on F-mount-type heat sinks”, Quantum Electron., 45:12 (2015), 1088–1090 ] |
8
|
|
2014 |
| 11. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа”, Квантовая электроника, 44:10 (2014), 899–902 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Thermal modelling of high-power laser diodes mounted using various types of submounts”, Quantum Electron., 44:10 (2014), 899–902 ] |
10
|
| 12. |
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм”, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 145–148 [V. V. Bezotosnyi, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Emission parameters and thermal management of single high-power 980-nm laser diodes”, Quantum Electron., 44:2 (2014), 145–148 ] |
11
|
|
2012 |
| 13. |
Е. Е. Ашкинази, В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. И. Коваленко, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, А. Ф. Попович, В. Г. Ральченко, Е. А. Чешев, “Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 959–960 [E. E. Ashkinazi, V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Bondarev, V. I. Kovalenko, V. I. Konov, O. N. Krokhin, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, A. F. Popovich, V. G. Ral'chenko, E. A. Cheshev, “Increasing the output power of single 808-nm laser diodes using diamond submounts produced by microwave plasma chemical vapour deposition”, Quantum Electron., 42:11 (2012), 959–960 ] |
9
|
|
2009 |
| 14. |
В. В. Безотосный, М. В. Горбунков, П. В. Кострюков, В. Г. Тункин, Е. А. Чешев, Д. В. Яковлев, “Симметрия пространственной структуры излучения при синхронизации поперечных мод в лазере с астигматическим резонатором”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 759–764 [V. V. Bezotosnyi, M. V. Gorbunkov, P. V. Kostryukov, V. G. Tunkin, E. A. Cheshev, D. V. Yakovlev, “Symmetry of the spatial structure of radiation upon transverse mode locking in an astigmatic resonator laser”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 759–764 ] |
2
|
| 15. |
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт”, Квантовая электроника, 39:3 (2009), 241–243 [V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Bondarev, O. N. Krokhin, G. T. Mikayelyan, V. A. Oleshchenko, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, E. A. Cheshev, “Laser diodes emitting up to 25 W at 808 nm”, Quantum Electron., 39:3 (2009), 241–243 ] |
15
|
|
2007 |
| 16. |
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. И. Коваленко, О. Н. Крохин, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, В. Н. Токарев, Е. А. Чешев, “Модификация структуры металлических пленок излучением твердотельного лазера с диодной накачкой для повышения выходных параметров мощных лазерных диодов”, Квантовая электроника, 37:11 (2007), 1055–1059 [V. V. Bezotosnyi, V. Yu. Bondarev, V. I. Kovalenko, O. N. Krokhin, V. F. Pevtsov, Yu. M. Popov, V. N. Tokarev, E. A. Cheshev, “Modification of metal film structure by radiation from a diode-pumped solid-state laser for improving the output parameters of high-power laser diodes”, Quantum Electron., 37:11 (2007), 1055–1059 ] |
6
|
|
2005 |
| 17. |
В. В. Безотосный, Н. Ф. Глущенко, И. Д. Залевский, Ю. М. Попов, В. П. Семенков, Е. А. Чешев, “Высокоэффективный компактный Nd<sup>3+</sup>:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором”, Квантовая электроника, 35:6 (2005), 507–510 [V. V. Bezotosnyi, N. F. Glushchenko, I. D. Zalevskii, Yu. M. Popov, V. P. Semenkov, E. A. Cheshev, “Highly efficient, compact diode-pumped acousto-optically Q-switched 1.064-μm Nd<sup>3+</sup>:YAG laser operating in cw and pulsed regimes”, Quantum Electron., 35:6 (2005), 507–510 ] |
5
|
|
2001 |
| 18. |
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659–660 [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660 ] |
5
|
|
1999 |
| 19. |
В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин, “Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 1–2 [V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p — n junction”, Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284 ] |
1
|
|
1998 |
| 20. |
В. В. Безотосный, И. Д. Залевский, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова, “Экспериментальное изучение и моделирование излучательных характеристик мощных непрерывных инжекционных лазеров спектрального диапазона 808 нм с полным КПД до 50”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 611–615 [V. V. Bezotosnyi, I. D. Zalevskii, Kh. Kh. Kumykov, N. V. Markova, “Experimental investigation and simulation of the output characteristics of powerful cw diode lasers operating in the spectral range 808 nm with a total efficiency of up to 50”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 594–598 ] |
1
|
| 21. |
В. В. Безотосный, П. В. Булаев, В. А. Горбылев, И. Д. Залевский, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, А. А. Падалица, “Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 303–304 [V. V. Bezotosnyi, P. V. Bulaev, V. A. Gorbylev, I. D. Zalevskii, N. V. Markova, Yu. M. Popov, A. A. Padalitsa, “Continuous-wave 1-W injection lasers emitting near 808 nm with a total efficiency up to 50”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 292–293 ] |
1
|
| 22. |
В. В. Безотосный, Х. Х. Кумыков, “Моделирование тепловых параметров мощных линеек лазерных диодов. Двумерная нестационарная модель”, Квантовая электроника, 25:3 (1998), 225–228 [V. V. Bezotosnyi, Kh. Kh. Kumykov, “Modelling of the thermal parameters of high-power linear laser-diode arrays. Two-dimensional transient model”, Quantum Electron., 28:3 (1998), 217–220 ] |
7
|
|
1997 |
| 23. |
В. В. Безотосный, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова, “Предельные выходные параметры линеек и матриц лазерных диодов”, Квантовая электроника, 24:6 (1997), 495–498 [V. V. Bezotosnyi, Kh. Kh. Kumykov, N. V. Markova, “Ultimate output parameters of laser-diode bars and arrays”, Quantum Electron., 27:6 (1997), 481–484 ] |
7
|
|
1996 |
| 24. |
А. С. Адливанкин, В. В. Безотосный, Н. В. Маркова, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, С. Н. Порезанов, “Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов”, Квантовая электроника, 23:11 (1996), 974–976 [A. S. Adlivankin, V. V. Bezotosnyi, N. V. Markova, G. T. Mikayelyan, Yu. M. Popov, S. N. Porezanov, “Radiative characteristics of two-dimensional arrays of AlGaAs/GaAs diode lasers emitting at the wavelength 0.81 μm and intended to pump solid-state active elements”, Quantum Electron., 26:11 (1996), 949–951 ] |
3
|
| 25. |
В. В. Безотосный, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова, “Тепловой режим мощных монолитных линеек инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 775–778 [V. V. Bezotosnyi, Kh. Kh. Kumykov, N. V. Markova, “Thermal conditions in high-power monolithic linear injection-laser arrays”, Quantum Electron., 26:9 (1996), 755–758 ] |
6
|
|
1995 |
| 26. |
В. В. Безотосный, П. В. Карга, Чанг Чен Де, Чанг Кви Лин, Гуан Хин Гуо, “Моделирование и экспериментальное изучение инжекционных AlGaAs/GaAs-лазеров спектрального диапазона 780 — 808 нмс электронными сверхрешеточными барьерами”, Квантовая электроника, 22:3 (1995), 216–218 [V. V. Bezotosnyi, P. V. Karga, Zhang Zheng De, Zhang Qi Lin, Guan Xin Guo, “Modelling and experimental study of AlGaAsGaAs injection lasers with electron superlattice barriers, emitting at 780 — 808 nm”, Quantum Electron., 25:3 (1995), 200–202 ] |
| 27. |
В. В. Безотосный, Ю. П. Коваль, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, М. Н. Грудень, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 101–104 [V. V. Bezotosnyi, Yu. P. Koval', N. V. Markova, Yu. M. Popov, M. N. Gruden', V. I. Shveikin, “Characteristics of the emission of 805 — 810 nm radiation by linear injection-laser arrays used to pump solid-state lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 93–95 ] |
4
|
|
1994 |
| 28. |
В. В. Безотосный, В. П. Коняев, Н. В. Маркова, Г. Г. Харисов, “Сужение диаграммы направленности мощных инжекционных лазеров с широким полосковым контактом с помощью внешнего микроселектора”, Квантовая электроника, 21:1 (1994), 57–58 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Konyaev, N. V. Markova, G. G. Kharisov, “Narrowing of the angular distribution of the radiation emitted by high-power injection lasers with a wide stripe contact by an external microselector”, Quantum Electron., 24:1 (1994), 54–55 ] |
|
1984 |
| 29. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
|
1981 |
| 30. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209 ] |
2
|
| 31. |
В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202 ] |
1
|
|
1980 |
| 32. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148 ] |
2
|
|
Обратная связь: