Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 2, страницы 101–104 (Mi qe295)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры

Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров

В. В. Безотосныйa, Ю. П. Ковальb, Н. В. Марковаa, Ю. М. Поповa, М. Н. Груденьb, В. И. Швейкинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация: Изготовлены монолитные линейки инжекционных лазеров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с общей шириной излучающей поверхности 1 см, предназначенные для применения в системах накачки твердотельных лазеров. Ватт-амперные характеристики, полный КПД, спектральный состав излучения и форма светового импульса линеек изучены в наиболее интересном для оптической накачки твердотельных лазеров диапазоне длительностей импульсов накачки 0.1 — 1 мс. Максимальная импульсная мощность 70 Вт при токе 80 А была ограничена источником накачки.
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, Volume 25, Issue 2, Pages 93–95
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1995v025n02ABEH000295
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.55.Rz


Образец цитирования: В. В. Безотосный, Ю. П. Коваль, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, М. Н. Грудень, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 101–104 [Quantum Electron., 25:2 (1995), 93–95]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe295
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i2/p101
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:227
    PDF полного текста:101
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024