|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 2, страницы 101–104
(Mi qe295)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Лазеры
Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров
В. В. Безотосныйa, Ю. П. Ковальb, Н. В. Марковаa, Ю. М. Поповa, М. Н. Груденьb, В. И. Швейкинb a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация:
Изготовлены монолитные линейки инжекционных лазеров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с общей шириной излучающей поверхности 1 см, предназначенные для применения в системах накачки твердотельных лазеров. Ватт-амперные характеристики, полный КПД, спектральный состав излучения и форма светового импульса линеек изучены в наиболее интересном для оптической накачки твердотельных лазеров диапазоне длительностей импульсов накачки 0.1 — 1 мс. Максимальная импульсная мощность 70 Вт при токе 80 А была ограничена источником накачки.
Образец цитирования:
В. В. Безотосный, Ю. П. Коваль, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, М. Н. Грудень, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 101–104 [Quantum Electron., 25:2 (1995), 93–95]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe295 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i2/p101
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 227 | PDF полного текста: | 101 |
|