Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа

На основе трёхмерной тепловой модели на примере излучающего на длине волны 980 нм мощного лазерного диода с шириной полоскового контакта 100 мкм проанализированы тепловые параметры мощных лазерных диодов, смонтированных с применением сабмаунтов. Рассмотрен диапазон значений теплопроводности сабмаунтов, включающий параметры широко используемых термокомпенсаторов на основе AlN, BeO, SiC и композитов CuW, CuMo, а также поликристаллических и монокристаллических синтетических алмазов с высокой теплопроводностью. С учётом экспериментальной зависимости полного КПД от уровня накачки рассчитаны температуры активного слоя при тепловых нагрузках, соответствующих выходной мощности около 10, 15 и 20 Вт в непрерывном режиме (в зависимости от ширины, толщины и теплопроводности сабмаунтов).