Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме

Разработаны и изготовлены теплоотводящие элементы из синтетических алмазов, выращенных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме. Создана экономичная технология их металлизации без использования драгметаллов. Осуществлен монтаж кристаллов лазерных диодов спектральной области 808 нм с длиной резонатора 3 мм и шириной полоскового контакта 130 мкм на медные теплоотводящие элементы с использованием алмазных элементов различного качества. Получена наработка более 150 ч в непрерывном режиме при мощности излучения 8 Вт на алмазе с теплопроводностью около 700 Вт/мК без изменения выходной мощности и устойчивая непрерывная генерация в течение 24 ч на алмазе с теплопроводностью около 1600 Вт/мК при мощности излучения 12 Вт.