|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 9, страницы 775–778
(Mi qe772)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Лазеры
Тепловой режим мощных монолитных линеек инжекционных лазеров
В. В. Безотосный, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
Проанализирована динамика тепловых профилей в полупроводниковых монолитных линейках инжекционных GaAs/AlGaAs-лазеров на длине волны 810 нм в квазинепрерывном и непрерывном режимах генерации при различных параметрах накачки в зависимости от конструкции теплоотвода. Для монолитных линеек с удельной выходной мощностью 50 Вт/см и полным КПД 30%, смонтированных на теплоотводе из BeO, получено увеличение температуры активной области лазера на 45°С при длительности импульса 1 мс. На основе расчетной модели описаны экспериментальные зависимости выходных параметров линеек от режимов накачки и получены данные для конструирования двумерных матриц накачки.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
В. В. Безотосный, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова, “Тепловой режим мощных монолитных линеек инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 775–778 [Quantum Electron., 26:9 (1996), 755–758]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe772 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i9/p775
|
|