Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Евтихиев Вадим Павлович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 29
Научных статей: 29

Статистика просмотров:
Эта страница:223
Страницы публикаций:1782
Полные тексты:723
Списки литературы:81
кандидат физико-математических наук (1985)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Евтихиев, Вадим Павлович. Фотолюминесценция $InGaAsP/InP$ ДГС с тонкими активными областями и особенности пороговых характеристик лазеров на их основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 187 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person76825
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=34081

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. A. V. Belonovskii, V. P. Evtikhiev, M. I. Mitrofanov, V. V. Nikolaev, “Strong coupling of exciton in organic material and plasmonic WGM localized on the surface of silver nanoparticles”, Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  14–15  mathnet; JETP Letters, 118:1 (2023), 21–25 2
2022
2. E. I. Girshova, G. Pozina, A. V. Belonovskii, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, “Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity”, Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022),  611–612  mathnet  scopus; JETP Letters, 115:10 (2022), 574–580  scopus 1
2021
3. А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Д. И. Курицын, В. В. Дюделев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. В. Морозов, Г. С. Соколовский, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085  mathnet  elib; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, D. I. Kuritsyn, V. V. Dyudelev, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. V. Morozov, G. S. Sokolovskii, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Quantum-cascade laser with radiation output through a textured layer”, Semiconductors, 56:1 (2022), 1–4
4. А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Н. Ю. Харин, В. Ю. Паневин, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606  mathnet  elib; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, N. Yu. Kharin, V. Yu. Panevin, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Surface emitting quantum-cascade ring laser”, Semiconductors, 55:7 (2021), 591–594 2
5. А. С. Паюсов, М. И. Митрофанов, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, Г. В. Вознюк, М. М. Кулагина, В. П. Евтихиев, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, S. Breuer, “Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54  mathnet  elib
2020
6. M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684 4
7. А. В. Белоновский, Г. Р. Позина, Я. В. Левитский, К. М. Морозов, М. И. Митрофанов, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, С. Н. Родин, В. П. Евтихиев, М. А. Калитеевский, “Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  85–88  mathnet  elib; A. V. Belonovski, G. R. Pozina, Ya. V. Levitskii, K. M. Morozov, M. I. Mitrofanov, E. I. Girshova, K. A. Ivanov, S. N. Rodin, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevskii, “Strong coupling of excitons in hexagonal GaN microcavities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 127–130 1
8. А. В. Бабичев, Д. А. Пашнев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, М. И. Митрофанов, В. П. Евтихиев, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11  mathnet  elib; A. V. Babichev, D. A. Pashnev, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, M. I. Mitrofanov, V. P. Evtikhiev, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Quantum-cascade lasers with a distributed Bragg reflector formed by ion-beam etching”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 312–315 8
2019
9. S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337
10. Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583  mathnet  elib; Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolaev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev, “Changes in the photoluminescence properties of semiconductor heterostructures after ion-beam etching”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549 2
2018
11. В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев, “Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 5
12. М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, Г. В. Вознюк, Е. Е. Татаринов, С. Н. Родин, М. А. Калитеевский, В. П. Евтихиев, “Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  816–818  mathnet  elib; M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, V. P. Evtikhiev, “Concentric hexagonal GaN structures for nanophotonics, fabricated by selective vapor-phase epitaxy with ion-beam etching”, Semiconductors, 52:7 (2018), 954–956 2
2017
13. С. А. Масалов, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, В. П. Улин, В. П. Евтихиев, А. В. Атращенко, “Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP”, ЖТФ, 87:9 (2017),  1416–1422  mathnet  elib; S. A. Masalov, E. O. Popov, A. G. Kolosko, S. V. Filippov, V. P. Ulin, V. P. Evtikhiev, A. V. Atrashchenko, “Liquid-metal field electron source based on porous GaP”, Tech. Phys., 62:9 (2017), 1424–1430 2
2012
14. Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, В. П. Евтихиев, А. С. Школьников, “Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия”, Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  363–366  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, V. P. Evtikhiev, A. S. Shkolnikov, “Photoemission from InAs/GaAs quantum dots decorated with cesium adatoms”, JETP Letters, 96:5 (2012), 332–335  isi  elib  scopus 1
1992
15. Б. Я. Бер, В. П. Евтихиев, А. Б. Комиссаров, А. О. Косогов, Д. А. Зушинский, “Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)”, Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76  mathnet  isi
1990
16. П. Н. Брунков, В. П. Евтихиев, С. Г. Конников, Е. Ю. Котельников, М. Г. Папенцев, М. М. Соболев, “Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1978–1982  mathnet
1989
17. В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848  mathnet
1988
18. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, А. Г. Денисов, В. П. Евтихиев, А. Б. Комиссаров, А. П. Сеничкин, В. Н. Скороходов, В. Е. Токранов, “Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110  mathnet
1986
19. Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, В. В. Красовский, А. Е. Свелокузов, А. В. Чудинов, “Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712  mathnet
1985
20. И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, “Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498  mathnet
21. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423  mathnet
22. Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, С. Ю. Карпов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455  mathnet
23. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, В. П. Евтихиев, А. Б. Нивин, А. Е. Свелокузов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162  mathnet  isi
1984
24. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060  mathnet
25. Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, В. П. Евтихиев, В. Б. Халфин, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045  mathnet
26. Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, В. П. Чалый, В. П. Евтихиев, “Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108  mathnet
1983
27. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1652–1655  mathnet
28. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, А. Т. Гореленок, “Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1402–1405  mathnet
29. А. В. Чудинов, В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Евтихиев, “Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024