|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 5, страницы 363–366
(Mi jetpl3224)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, В. П. Евтихиев, А. С. Школьников Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
Проведено декорирование адсорбированными атомами металла массива
незарощенных квантовых точек InAs/GaAs in situ в сверхвысоком вакууме.
Исследованы
их электронные и фотоэмиссионные свойства. Обнаружена кардинальная модификация
спектров пороговой фотоэмиссии из квантовых точек по мере увеличения цезиевого
покрытия. Установлены два фотоэмиссионных канала, которые характеризуются
существенно различными интенсивностью, спектральным положением и шириной
селективных полос. Показано, что декорирование квантовых точек позволяет управлять
электронной структурой и квантовым выходом фотоэмиссии, природа которой связана с
возбуждением электронных состояний подложки GaAs и квантовых точек InAs.
Поступила в редакцию: 30.07.2012
Образец цитирования:
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, В. П. Евтихиев, А. С. Школьников, “Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия”, Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012), 363–366; JETP Letters, 96:5 (2012), 332–335
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3224 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i5/p363
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 169 | PDF полного текста: | 48 | Список литературы: | 33 | Первая страница: | 6 |
|