Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1579–1583
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48459.9146 (Mi phts5368) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении

Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (586 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48459.9146
Аннотация: Ионно-лучевое травление гетероструктур AlGaAs/GaAs приводит к возникновению радиационных дефектов и, как следствие, гашению люминесценции. Отжиг при 620$^\circ$C в атмосфере As позволяет достичь практически полного восстановления квантовой эффективности люминесценции для случая радиационных дефектов, залегающих на расстоянии вплоть до 150 нм от гетерограницы.
Ключевые слова: сфокусированный ионный пучок, прямая ионная литография, нанолитография, радиационные дефекты, отжиг, микрофотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
Авторы выражают благодарность Российскому научному фонду (грант 16-12-10503).
Поступила в редакцию: 22.04.2019
Исправленный вариант: 11.05.2019
Принята в печать: 13.05.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1545–1549
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110101
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583; Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LevMitVoz19}
\by Я.~В.~Левицкий, М.~И.~Митрофанов, Г.~В.~Вознюк, Д.~Н.~Николаев, М.~Н.~Мизеров, В.~П.~Евтихиев
\paper Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1579--1583
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5368}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48459.9146}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300663}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1545--1549
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110101}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5368
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1579
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024