|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Ионно-лучевое травление гетероструктур AlGaAs/GaAs приводит к возникновению радиационных дефектов и, как следствие, гашению люминесценции. Отжиг при 620$^\circ$C в атмосфере As позволяет достичь практически полного восстановления квантовой эффективности люминесценции для случая радиационных дефектов, залегающих на расстоянии вплоть до 150 нм от гетерограницы.
Ключевые слова:
сфокусированный ионный пучок, прямая ионная литография, нанолитография, радиационные дефекты, отжиг, микрофотолюминесценция.
Поступила в редакцию: 22.04.2019 Исправленный вариант: 11.05.2019 Принята в печать: 13.05.2019
Образец цитирования:
Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583; Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5368 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1579
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 12 |
|