|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физическая электроника
Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP
С. А. Масаловa, Е. О. Поповa, А. Г. Колоськоa, С. В. Филипповa, В. П. Улинa, В. П. Евтихиевa, А. В. Атращенкоb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Представлен новый способ создания жидкометаллического полевого эмиттера. Обработка пористого кристалла бинарного полупроводникового соединения GaP импульсами высокого напряжения в вакууме позволила получить на его поверхности устойчивые структуры в виде дискретных кластеров галлия. Данные структуры показали хорошие эмиссионные свойства: стабильные токи на уровне нескольких микроампер, а также достаточно высокую равномерность распределения эмиссионных наноцентров по поверхности.
Поступила в редакцию: 16.02.2017
Образец цитирования:
С. А. Масалов, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, В. П. Улин, В. П. Евтихиев, А. В. Атращенко, “Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1416–1422; Tech. Phys., 62:9 (2017), 1424–1430
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6138 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i9/p1416
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 14 |
|