|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Р. Х. Жукавин, П. А. Бушуйкин, В. Д. Кукотенко, Ю. Ю. Чопорова, Н. Дессманн, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 139–145  ; R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143 |
1
|
|
2021 |
| 2. |
R. J. S. Abraham, V. B. Shuman, L. M. Portsel, A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, S. Simmons, M. L. W. Thewalt, “Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 500 |
| 3. |
Ю. А. Астров, Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 299–303  |
1
|
|
2020 |
| 4. |
К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1145–1149 ; K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 |
1
|
| 5. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1134–1138 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of lithium donors in bulk single-crystal isotopically pure $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1336–1340 |
1
|
| 6. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 933–937 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of phosphorus donors in bulk single-crystal monoisotopic $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1123–1126 |
2
|
| 7. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 |
1
|
| 8. |
Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Исследование примеси магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 321–326 ; L. M. Portsel', V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. N. Lodygin, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Investigation of the magnesium impurity in silicon”, Semiconductors, 54:4 (2020), 393–398 |
7
|
| 9. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 45 ; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 |
1
|
|
2019 |
| 10. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, П. А. Бушуйкин, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В. Н. Шастин, “Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии”, Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019), 677–682 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682   |
13
|
| 11. |
Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288 ; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257 |
| 12. |
В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266 ; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 |
8
|
| 13. |
Н. А. Ярыкин, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. Weber, “Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 799–804 ; N. A. Yarykin, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. Weber, “DLTS investigation of the energy spectrum of Si : Mg crystals”, Semiconductors, 53:6 (2019), 789–794 |
1
|
| 14. |
В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, А. А. Яковлева, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 314–316 ; V. B. Shuman, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Decomposition of a solid solution of interstitial magnesium in silicon”, Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297 |
3
|
|
2018 |
| 15. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1578 ; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 |
1
|
|
2017 |
| 16. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. М. Сергеев, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Герасимов, В. В. Цыпленков, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, Г. Шнайдер, Н. Дессманн, О. А. Шевченко, Н. А. Винокуров, Г. Н. Кулипанов, Г.-В. Хьюберс, “Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017), 555–560 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575 |
15
|
|
2016 |
| 17. |
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1701–1705 ; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677 |
| 18. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1313–1319 ; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 |
8
|
| 19. |
Ю. М. Покотило, А. Н. Петух, В. В. Литвинов, В. П. Маркевич, Н. В. Абросимов, А. С. Камышан, А. В. Гиро, К. А. Соляникова, “Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1143–1145 ; Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, N. V. Abrosimov, A. S. Kamyshan, A. V. Giro, K. A. Solyanikova, “Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1122–1124 |
| 20. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
| 21. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033 |
|
2015 |
| 22. |
К. А. Ковалевский, Н. В. Абросимов, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, Г. -В. Хьюберс, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 113–120 [K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120 ] |
6
|
|
2014 |
| 23. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775 |
6
|
|
2009 |
| 24. |
Б. А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, “Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 501–504 ; B. A. Andreev, A. A. Ezhevskii, N. V. Abrosimov, P. G. Sennikov, H. Pol, “Dependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass”, JETP Letters, 90:6 (2009), 455–458 |
|
Обратная связь: