|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии
Ю. А. Астровa, Л. М. Порцельa, В. Б. Шуманa, А. Н. Лодыгинa, Н. В. Абросимовb, С. Г. Павловc, H.-W. Hüberscd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Leibniz-Institut für Kristallzüuchtung (IKZ),
Berlin, Germany
c Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR),
Berlin, Germany
d Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Berlin, Germany
Аннотация:
Изучены оптические свойства примеси магния в кремнии, атомы которого в межузельных положениях в решетке являются глубокими двойными донорами с энергией ионизации 107.56 мэВ в нейтральном состоянии. Для оптических переходов из основного состояния нейтрального центра на возбужденные уровни 2$p_{0}$ и 2$p_\pm$ определены сечения поглощения и силы осциллятора. Эти параметры рассчитаны из спектров примесного поглощения в образцах c различной концентрацией магния, измеренных при температуре $T\approx$ 5 K. Содержание глубокого донора в образцах определялось с помощью измерений эффекта Холла в диапазоне температуры 78–300 K. Полученные характеристики внутрицентровых переходов магния сравниваются с соответствующими литературными данными для мелких доноров V группы в кремнии, которые являются примесями замещения. Обнаружено, что оптические характеристики исследованных переходов в магнии согласуются с зависимостями соответствующих величин от энергии ионизации мелких доноров, экстраполированными в область бoльших энергий связи электрона.
Ключевые слова:
кремний, глубокие доноры, магний, оптическая спектроскопия.
Поступила в редакцию: 01.12.2020 Исправленный вариант: 11.12.2020 Принята в печать: 11.12.2020
Образец цитирования:
Ю. А. Астров, Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 299–303
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5047 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p299
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 80 | PDF полного текста: | 21 |
|