Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 299–303
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50728.9564
(Mi phts5047)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии

Ю. А. Астровa, Л. М. Порцельa, В. Б. Шуманa, А. Н. Лодыгинa, Н. В. Абросимовb, С. Г. Павловc, H.-W. Hüberscd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Leibniz-Institut für Kristallzüuchtung (IKZ), Berlin, Germany
c Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany
d Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Berlin, Germany
Аннотация: Изучены оптические свойства примеси магния в кремнии, атомы которого в межузельных положениях в решетке являются глубокими двойными донорами с энергией ионизации 107.56 мэВ в нейтральном состоянии. Для оптических переходов из основного состояния нейтрального центра на возбужденные уровни 2$p_{0}$ и 2$p_\pm$ определены сечения поглощения и силы осциллятора. Эти параметры рассчитаны из спектров примесного поглощения в образцах c различной концентрацией магния, измеренных при температуре $T\approx$ 5 K. Содержание глубокого донора в образцах определялось с помощью измерений эффекта Холла в диапазоне температуры 78–300 K. Полученные характеристики внутрицентровых переходов магния сравниваются с соответствующими литературными данными для мелких доноров V группы в кремнии, которые являются примесями замещения. Обнаружено, что оптические характеристики исследованных переходов в магнии согласуются с зависимостями соответствующих величин от энергии ионизации мелких доноров, экстраполированными в область бoльших энергий связи электрона.
Ключевые слова: кремний, глубокие доноры, магний, оптическая спектроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0040-2019-0016
Исследование поддержано программой ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, № 0040-2019-0016.
Поступила в редакцию: 01.12.2020
Исправленный вариант: 11.12.2020
Принята в печать: 11.12.2020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Астров, Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 299–303
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstPorShu21}
\by Ю.~А.~Астров, Л.~М.~Порцель, В.~Б.~Шуман, А.~Н.~Лодыгин, Н.~В.~Абросимов, С.~Г.~Павлов, H.-W.~H\"ubers
\paper Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 299--303
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5047}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50728.9564}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474705}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5047
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p299
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:80
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024