Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$

Изучено поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ ($x$ = 0.0039–0.05), обогащенных бесспиновыми изотопами $^{28}$Si (99.998%) и $^{72}$Ge (99.984%) методом электронного парамагнитного резонанса. Исследовалась тонкая структура спектра донорного электрона, локализованного на литии ($T$ = 3.5–30 K), в предположении, что при обогащении бесспиновыми изотопами ($^{28}$Si$^{\operatorname{iso}}$Ge, $\operatorname{iso}$ = 70, 72, 74, 76) сплавов Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ можно достичь, как и в кремнии, более высокого разрешения в спектрах электронного парамагнитного резонанса. Исследования показали, что, несмотря на нерегулярное расположение атомов германия в решетке твердого раствора $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$, создаваемые ими локальные искажения и уширение линий электронного парамагнитного резонанса донорных электронов за счет случайных деформаций в изотопно-чистых монокристаллах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ при $x$ = 0.39, 1.2, 2.9 ат%, наблюдались более узкие линии спектров электронного парамагнитного резонанса лития по сравнению с аналогичными кристаллами с природной композицией изотопов кремния и германия, что позволило, как и в кремнии, впервые исследовать угловые зависимости положений линий в спектрах электронного парамагнитного резонанса лития в Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при различных $x$.