|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии
В. Б. Шуманa, А. Н. Лодыгинa, Л. М. Порцельa, А. А. Яковлеваa, Н. В. Абросимовb, Ю. А. Астровa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibnitz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация:
Изучался распад твердого раствора межузельного магния Mg$_{i}$ в кремнии. В опытах использовался бестигельный бездислокационный монокристаллический $n$-Si c величиной удельного сопротивления $\sim$8 $\cdot$ 10$^{3}$ Ом $\cdot$ см, содержанием кислорода $\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$ и углерода $\sim$1 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Образцы легировались диффузионным сандвич-методом при $T$ = 1100$^\circ$C и закаливались. Распад пересыщенного твердого раствора Mg$_{i}$ изучался путем исследования кинетики увеличения удельного сопротивления легированных образцов в результате отжигов в диапазоне $T$ = 400–620$^\circ$C. Найдено, что процесс распада характеризуется энергией активации $E_{a}\approx$ 1.6 эВ, что близко к определенной ранее энергии активации диффузии Mg$_{i}$ в кремнии. Показано также, что при температурах, не превышающих 400$^\circ$C, Si : Mg обнаруживает стабильные свойства, что важно при его возможном практическом использовании.
Поступила в редакцию: 16.10.2018 Исправленный вариант: 22.10.2018
Образец цитирования:
В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, А. А. Яковлева, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 314–316; Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5558 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p314
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 19 |
|