Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 314–316
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47280.9005
(Mi phts5558)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии

В. Б. Шуманa, А. Н. Лодыгинa, Л. М. Порцельa, А. А. Яковлеваa, Н. В. Абросимовb, Ю. А. Астровa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibnitz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация: Изучался распад твердого раствора межузельного магния Mg$_{i}$ в кремнии. В опытах использовался бестигельный бездислокационный монокристаллический $n$-Si c величиной удельного сопротивления $\sim$8 $\cdot$ 10$^{3}$ Ом $\cdot$ см, содержанием кислорода $\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$ и углерода $\sim$1 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Образцы легировались диффузионным сандвич-методом при $T$ = 1100$^\circ$C и закаливались. Распад пересыщенного твердого раствора Mg$_{i}$ изучался путем исследования кинетики увеличения удельного сопротивления легированных образцов в результате отжигов в диапазоне $T$ = 400–620$^\circ$C. Найдено, что процесс распада характеризуется энергией активации $E_{a}\approx$ 1.6 эВ, что близко к определенной ранее энергии активации диффузии Mg$_{i}$ в кремнии. Показано также, что при температурах, не превышающих 400$^\circ$C, Si : Mg обнаруживает стабильные свойства, что важно при его возможном практическом использовании.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 8
Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН № 8 “Физика конденсированных сред и материалы нового поколения”.
Поступила в редакцию: 16.10.2018
Исправленный вариант: 22.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 296–297
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, А. А. Яковлева, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 314–316; Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShuLodPor19}
\by В.~Б.~Шуман, А.~Н.~Лодыгин, Л.~М.~Порцель, А.~А.~Яковлева, Н.~В.~Абросимов, Ю.~А.~Астров
\paper Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 314--316
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5558}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47280.9005}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477031}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 296--297
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5558
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p314
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024