Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 2, страницы 113–120 (Mi qe16113)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Терагерцевое излучение

Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии

К. А. Ковалевскийa, Н. В. Абросимовb, Р. Х. Жукавинa, С. Г. Павловc, Г. -В. Хьюберсdc, В. В. Цыпленковa, В. Н. Шастинea

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Institute for Crystal Growth, Germany
c Institute of Planetary Research, German Aerospace Center
d Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, Germany
e Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Список литературы:
Аннотация: Дан краткий обзор экспериментальных результатов исследования характеристик стимулированного терагерцевого излучения (4.9 – 6.4 ТГц) оптически возбуждаемых нейтральных доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк, висмут) в кристаллическом кремнии при его одноосной деформации сжатия по оси [100]. Показано, что такая деформация оказывает существенное воздействие на рассматриваемые характеристики и при ее оптимальных величинах, которые зависят от центра легирования, может уменьшить пороговую интенсивность накачки и увеличить эффективность генерации излучения. Обсуждаются возможные механизмы такого влияния. Приводится оценка предельно достижимых параметров выходного излучения.
Ключевые слова: кремниевый лазер, одноосная деформация, терагерцевое излучение.
Поступила в редакцию: 14.04.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 2, Pages 113–120
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n02ABEH015532
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 07.57.Hm, 78.45.th


Образец цитирования: К. А. Ковалевский, Н. В. Абросимов, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, Г. -В. Хьюберс, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 113–120 [Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16113
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i2/p113
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:254
    PDF полного текста:84
    Список литературы:39
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024