Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 321–326
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49134.9318
(Mi phts5237)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Исследование примеси магния в кремнии

Л. М. Порцельa, В. Б. Шуманa, А. А. Лаврентьевa, А. Н. Лодыгинa, Н. В. Абросимовb, Ю. А. Астровa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация: Измерены диффузионные профили концентрации электрически активной и полной концентрации примеси магния в кремнии. Диффузия проводилась сэндвич-методом в бестигельный бездислокационный кремний $n$-типа проволимости при температурах $T_{\operatorname{diff}}$ = 1000, 1100$^\circ$С и длительности процесса от 0.5 до 22.5 ч. Профили концентрации электрически активной компоненты магния $N_{\mathrm{Mg_i}}(x)$ определяли методом дифференциальной проводимости, профили полной концентрации $N_{\operatorname{total}}(x)$ – методом вторично-ионной масс-спектроскопии. Установлено, что полная концентрация магния в образцах на $\sim$2 порядка превосходит концентрацию электрически активной компоненты. Обнаружено также, что коэффициент диффузии межузельного магния, $D_{\mathrm{Mg_i}}$, зависит от времени диффузии и уменьшается при увеличении длительности процесса. Высказаны предположения о физических процессах, которые могут приводить к образованию электрически неактивной компоненты примеси магния и зависимости эффективного коэффициента диффузии от времени.
Ключевые слова: легирование кремния, диффузия, примесные центры, собственные дефекты.
Поступила в редакцию: 25.11.2019
Исправленный вариант: 05.12.2019
Принята в печать: 05.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 393–398
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620040120
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Исследование примеси магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 321–326; Semiconductors, 54:4 (2020), 393–398
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PorShuLav20}
\by Л.~М.~Порцель, В.~Б.~Шуман, А.~А.~Лаврентьев, А.~Н.~Лодыгин, Н.~В.~Абросимов, Ю.~А.~Астров
\paper Исследование примеси магния в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 321--326
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5237}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49134.9318}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776690}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 393--398
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620040120}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5237
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p321
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:57
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024