Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1263–1266
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48135.18
(Mi phts5413)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения

В. Н. Шастинa, Р. Х. Жукавинa, К. А. Ковалевскийa, В. В. Цыпленковa, В. В. Румянцевa, Д. В. Шенгуровa, С. Г. Павловb, В. Б. Шуманc, Л. М. Порцельc, А. Н. Лодыгинc, Ю. А. Астровc, Н. В. Абросимовd, J. M. Klopfe, H.-W. Hübersbf

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin, Germany
e Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, German
f Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по обнаружению отщепленных состояний $1s$, что позволяет определить химический сдвиг и энергию обменного взаимодействия нейтрального донора магния в кремнии. Положение парасостояний $1s(E)$, $1s(T_{2})$, а также $2s(A_{1})$ определяет возможность получения инверсии населенности и конкретный механизм вынужденного комбинационного рассеяния света. Энергия парасостояния $1s(T_{2})$ определялась по положению резонансов Фано в спектре фотопроводимости Si:Mg при $T$ = 4 K, а энергии ортосостояний $1s(T_{2})$, $1s(E)$ – из спектров пропускания при повышенных температурах. На основе полученных экспериментальных данных сделаны оценки скоростей релаксации и проведен анализ возможных механизмов стимулированного излучения.
Ключевые слова: нейтральный двойной донор, магний, спектроскопия, резонанс Фано, фотопроводимость, инверсия населенностей, вынужденное комбинационное рассеяние света.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00979
18-502-12077-ННИО
Deutsche Forschungsgemeinschaft 389056032
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0020-C-01
Работа поддержана в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований (19-02-00979) и совместного российско-германского проекта (№ 389056032 и 18-502-12077-ННИО). Использовано оборудование ЦКП ИФМ РАН. Работа выполнена в рамках государственного задания ИФМ РАН на 2019 г. 0035-2019-0020-C-01.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1234–1237
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090197
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266; Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaZhuKov19}
\by В.~Н.~Шастин, Р.~Х.~Жукавин, К.~А.~Ковалевский, В.~В.~Цыпленков, В.~В.~Румянцев, Д.~В.~Шенгуров, С.~Г.~Павлов, В.~Б.~Шуман, Л.~М.~Порцель, А.~Н.~Лодыгин, Ю.~А.~Астров, Н.~В.~Абросимов, J.~M.~Klopf, H.-W.~H\"ubers
\paper Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1263--1266
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5413}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48135.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129876}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1234--1237
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090197}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5413
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1263
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024