Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 816–821
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49632.09 (Mi phts5202) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi

Р. Х. Жукавинa, К. А. Ковалевскийa, С. Г. Павловb, N. Deßmannc, A. Pohld, В. В. Цыпленковa, Н. В. Абросимовe, H. Riemanne, H.-W. Hübersbd, В. Н. Шастинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center, Berlin, Germany
c Radboud University Nijmegen, FELIX Laboratory, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands
d Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany
e Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), 12489 Berlin, Germany
PDF полного текста (321 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49632.09
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований перестройки спектра терагерцового стимулированного излучения с помощью одноосной деформации кристалла кремния, легированного мелкими донорами висмута в случае внутрицентрового оптического возбуждения. Экспериментально показана частотная перестройка двух линий излучения донора висмута в случае одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [001]. Вычислены сечения усиления вынужденного комбинационного рассеяния света для одноосно-деформированного кремния, легированного висмутом.
Ключевые слова: кремний, одноосная деформация, инверсия, терагерцовое стимулированное излучение, вынужденное комбинационное рассеяние.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00979
Deutsche Forschungsgemeinschaft 389056032
18-502-12077-ННИО
Работа поддержана в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований (19-02-00979) и совместного российско-немецкого проекта (DFG No. 389056032 и 18-502-12077-ННИО). Жукавин, Ковалевский и Павлов благодарят EU Calipso Plus Program за поддержку визита в FELIX Laboratory. Сотрудники DLR подтверждают, что работа проведена по контракту.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 969–974
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080278
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821; Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuKovPav20}
\by Р.~Х.~Жукавин, К.~А.~Ковалевский, С.~Г.~Павлов, N.~De{\ss}mann, A.~Pohl, В.~В.~Цыпленков, Н.~В.~Абросимов, H.~Riemann, H.-W.~H\"ubers, В.~Н.~Шастин
\paper Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 816--821
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5202}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49632.09}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800759}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 969--974
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080278}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5202
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p816
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024