|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128   ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 |
1
|
| 2. |
А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800 ; A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe : In films in the space-charge-limited current regime”, Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
А. С. Тарасов, Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, О. Е. Терещенко, “Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1795–1799 ; A. S. Tarasov, D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, O. E. Tereshchenko, “Modification of the surface properties of PbSnTe$\langle$In$\rangle$ epitaxial layers with composition near band inversion”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1704–1708 |
6
|
| 4. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1207–1211 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, V. S. Epov, O. E. Tereshchenko, “Surface сonductivity dynamics in PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186 |
2
|
|
2017 |
| 5. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, “Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1569–1573 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, S. P. Suprun, V. S. Epov, “Effect of the surface on transport phenomena in PbSnTe : In/BaF$_{2}$ films”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1517–1521 |
|
2016 |
| 6. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, “Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1713–1719 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, S. V. Morozov, S. P. Suprun, V. S. Epov, A. V. Ikonnikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, “Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1684–1690 |
9
|
|
2009 |
| 7. |
С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, “Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 94–97 ; S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, “Formation of the GaAs-Ge heterointerface in the presence of oxide”, JETP Letters, 89:2 (2009), 84–87   |
3
|
|
2008 |
| 8. |
С. П. Супрун, Д. В. Щеглов, “Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si”, Письма в ЖЭТФ, 88:6 (2008), 421–425 ; S. P. Suprun, D. V. Shcheglov, “Effect of an electron beam on CaF<sub>2</sub> and BaF<sub>2</sub> epitaxial layers on Si”, JETP Letters, 88:6 (2008), 365–369 |
3
|
|
2003 |
| 9. |
И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором”, Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003), 1289–1292 ; I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Charge accumulation in Ge quantum dots in a GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge floating gate transistor structure”, JETP Letters, 78:12 (2003), 768–771 |
| 10. |
И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187 ; I. Yu. Borodin, I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, A. B. Talochkin, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Electric and photoelectric properties of GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al structures with Ge quantum dots”, JETP Letters, 78:3 (2003), 152–155 |
1
|
|
2001 |
| 11. |
А. Б. Талочкин, С. П. Супрун, А. В. Ефанов, И. Г. Кожемяко, В. Н. Шумский, “Рамановский $E_1$, $E_1+\Delta _1$ резонанс в ненапряженных квантовых точках германия”, Письма в ЖЭТФ, 73:6 (2001), 336–340 ; A. B. Talochkin, S. P. Suprun, A. V. Efanov, I. G. Kozhemyako, V. N. Shumskii, “Raman $E$ , $E_1+\Delta_1$ resonance in unstrained germanium quantum dots”, JETP Letters, 73:6 (2001), 297–300 |
1
|
|
Обратная связь: