Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 796–800
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49628.04 (Mi phts5198) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом

А. Н. Акимовa, И. О. Ахундовa, Д. В. Ищенкоa, А. Э. Климовab, И. Г. Неизвестныйab, Н. С. Пащинa, С. П. Супрунa, А. С. Тарасовa, О. Е. Терещенкоac, Е. В. Федосенкоa, В. Н. Шерстяковаa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (524 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49628.04
Аннотация: В режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, в пленках PbSnTe : In обнаружена зависимость знака фотопроводимости от напряжения смещения, интенсивности и времени освещения. Рассматривается роль ловушек со сложным энергетическим спектром, включая поверхностные, в наблюдаемых эффектах.
Ключевые слова: фотопроводимость, примесные состояния, поверхностные состояния, PbSnTe.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-02-00324
Российский научный фонд 17-12-01047
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 20-02-00324) и РНФ (№ 17-12-01047).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 951–955
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800; Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkiAkhIsh20}
\by А.~Н.~Акимов, И.~О.~Ахундов, Д.~В.~Ищенко, А.~Э.~Климов, И.~Г.~Неизвестный, Н.~С.~Пащин, С.~П.~Супрун, А.~С.~Тарасов, О.~Е.~Терещенко, Е.~В.~Федосенко, В.~Н.~Шерстякова
\paper Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 796--800
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5198}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49628.04}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800755}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 951--955
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5198
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p796
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024