Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 6, страницы 421–425 (Mi jetpl227)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si

С. П. Супрун, Д. В. Щеглов

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (1354 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: На подложках Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии последовательно выращены атомарно гладкие слои CaF$_2$ и BaF$_2$. В местах воздействия электронного пучка дифрактометра при анализе кристаллической структуры поверхности во время роста при последующем наблюдении методом атомно-силовой микроскопии выявлены макродефекты типа пор. Их образование связано с разложением фторидов под действием высокоэнергетичных электронов, сопровождающимся десорбцией фтора и дрейфовым током положительных ионов из мест стока электронного заряда.
Поступила в редакцию: 04.07.2008
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, Volume 88, Issue 6, Pages 365–369
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364008180057
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 79.20.Kz
Образец цитирования: С. П. Супрун, Д. В. Щеглов, “Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si”, Письма в ЖЭТФ, 88:6 (2008), 421–425; JETP Letters, 88:6 (2008), 365–369
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SupShc08}
\by С.~П.~Супрун, Д.~В.~Щеглов
\paper Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 6
\pages 421--425
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl227}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 88
\issue 6
\pages 365--369
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008180057}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000261261700005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-57349153934}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl227
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i6/p421
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:209
    PDF полного текста:95
    Список литературы:56
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024