Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1122–1128
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49955.29 (Mi phts5148) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами

А. Э. Климовab, А. Н. Акимовa, И. О. Ахундовa, В. А. Голяшовac, Д. В. Горшковa, Д. В. Ищенкоa, Е. В. Матюшенкоa, И. Г. Неизвестныйab, Г. Ю. Сидоровa, С. П. Супрунa, А. С. Тарасовa, О. Е. Терещенкоac, В. С. Эповa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (410 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49955.29
Аннотация: Исследованы характеристики МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей могут быть вызваны сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в области примерно $T\approx$ 15–20 K.
Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, МДП-структура, сегнетоэлектрический фазовый переход.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-02-00324
Российский научный фонд 17-12-01047
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант № 20-02-00324) и РНФ (грант № 17-12-01047).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1325–1331
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100164
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128; Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KliAkiAkh20}
\by А.~Э.~Климов, А.~Н.~Акимов, И.~О.~Ахундов, В.~А.~Голяшов, Д.~В.~Горшков, Д.~В.~Ищенко, Е.~В.~Матюшенко, И.~Г.~Неизвестный, Г.~Ю.~Сидоров, С.~П.~Супрун, А.~С.~Тарасов, О.~Е.~Терещенко, В.~С.~Эпов
\paper Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1122--1128
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5148}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49955.29}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041225}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1325--1331
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100164}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5148
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1122
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024