|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
А. Э. Климовab, А. Н. Акимовa, И. О. Ахундовa, В. А. Голяшовac, Д. В. Горшковa, Д. В. Ищенкоa, Е. В. Матюшенкоa, И. Г. Неизвестныйab, Г. Ю. Сидоровa, С. П. Супрунa, А. С. Тарасовa, О. Е. Терещенкоac, В. С. Эповa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследованы характеристики МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей могут быть вызваны сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в области примерно $T\approx$ 15–20 K.
Ключевые слова:
твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, МДП-структура, сегнетоэлектрический фазовый переход.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128; Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5148 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1122
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 24 |
|