Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1207–1211
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48125.08 (Mi phts5403) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон

А. Э. Климовab, А. Н. Акимовa, И. О. Ахундовa, В. А. Голяшовac, Д. В. Горшковa, Д. В. Ищенкоa, Г. Ю. Сидоровa, С. П. Супрунa, А. С. Тарасовa, В. С. Эповa, О. Е. Терещенкоac

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (667 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48125.08
Аннотация: При гелиевых температурах изучены особенности переходных процессов в эффекте поля в пленках PbSnTe : In с изменением тока до 10$^{5}$ раз, качественно соответствующие модели, в которой на поверхности PbSnTe : In имеется большая концентрация ловушек с различными параметрами. Роль поверхности подтверждается сильным изменением экспериментальных характеристик после химического удаления с поверхности PbSnTe : In собственных оксидов и ее пассивации слоем Al$_{2}$O$_{3}$.
Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, поверхностная проводимость, МДП-структура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-0575а
Российский научный фонд 17-12-01047
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ № 17-02-0575а и РНФ 17-12-01047.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1182–1186
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1207–1211; Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KliAkiAkh19}
\by А.~Э.~Климов, А.~Н.~Акимов, И.~О.~Ахундов, В.~А.~Голяшов, Д.~В.~Горшков, Д.~В.~Ищенко, Г.~Ю.~Сидоров, С.~П.~Супрун, А.~С.~Тарасов, В.~С.~Эпов, О.~Е.~Терещенко
\paper Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1207--1211
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5403}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48125.08}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129863}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1182--1186
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5403
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1207
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024