Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 3, страницы 184–187 (Mi jetpl2512)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge

И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (251 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фото-ЭДС при $T= 4.2$ и 300 К в ненапряженных структурах с квантовыми точками (КТ) германия в системе — GaAs/ZnSe/КТ–Ge/ZnSe/Al. Наблюдаемые при комнатной температуре без освещения особенности типа «кулоновской лестницы» на вольт-амперной характеристике обусловлены кулоновским взаимодействием электронов при резонансном туннелировании через собственные уровни в КТ. Особенности в спектрах фото-ЭДС связываются с поглощением излучения в системе дискретных уровней КТ. На основе экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры.
Поступила в редакцию: 03.07.2003
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, Volume 78, Issue 3, Pages 152–155
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1618882
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.63.Kv
Образец цитирования: И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187; JETP Letters, 78:3 (2003), 152–155
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorLitNei03}
\by И.~Ю.~Бородин, И.~А.~Литвинова, И.~Г.~Неизвестный, А.~В.~Прозоров, С.~П.~Супрун, А.~Б.~Талочкин, В.~Н.~Шерстякова, В.~Н.~Шумский
\paper Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe--Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2003
\vol 78
\issue 3
\pages 184--187
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2512}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2003
\vol 78
\issue 3
\pages 152--155
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1618882}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-13944276985}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2512
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i3/p184
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:172
    PDF полного текста:59
    Список литературы:57
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024