Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1713–1719 (Mi phts6299)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм

А. Н. Акимовa, А. Э. Климовa, С. В. Морозовbc, С. П. Супрунa, В. С. Эповa, А. В. Иконниковbc, М. А. Фадеевbc, В. В. Румянцевcb

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (459 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований динамики фотопроводимости пленок PbSnTe : In с высоким содержанием SnTe и с соответствующим краем фундаментального поглощения вблизи 30 мкм при гелиевых температурах. Рассмотрены возможные причины гигантской (выше 2 порядков) отрицательной фотопроводимости образцов.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1684–1690
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, “Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1713–1719; Semiconductors, 50:12 (2016), 1684–1690
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkiKliMor16}
\by А.~Н.~Акимов, А.~Э.~Климов, С.~В.~Морозов, С.~П.~Супрун, В.~С.~Эпов, А.~В.~Иконников, М.~А.~Фадеев, В.~В.~Румянцев
\paper Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1713--1719
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6299}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369079}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1684--1690
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120022}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6299
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1713
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024