|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 89, выпуск 2, страницы 94–97
(Mi jetpl344)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла
С. П. Супрун, Е. В. Федосенко Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
Аннотация:
Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAs–Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga$_2$O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела.
Поступила в редакцию: 09.12.2008
Образец цитирования:
С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, “Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 94–97; JETP Letters, 89:2 (2009), 84–87
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl344 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v89/i2/p94
|
|