Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Аверкиев Никита Сергеевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 66
Научных статей: 66

Статистика просмотров:
Эта страница:804
Страницы публикаций:5817
Полные тексты:2090
Списки литературы:395
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person55354
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://orcid.org/0000-0002-0772-7072

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. В. В. Гудков, Н. С. Аверкиев, И. В. Жевстовских, Ю. В. Коростелин, М. Н. Сарычев, “Влияние кристаллографической анизотропии на энергию стабилизации и вклад ян-теллеровской подсистемы в модули упругости легированных кристаллов”, Письма в ЖЭТФ, 119:1 (2024),  54–58  mathnet; V. V. Gudkov, N. S. Averkiev, I. V. Zhevstovskikh, Yu. V. Korostelin, M. N. Sarychev, “Influence of the crystallographic anisotropy on the stabilization energy and contribution from the Jahn–Teller subsystem to the elastic moduli of doped crystals”, JETP Letters, 119:1 (2024), 53–57
2023
2. С. Н. Николаев, К. Ю. Черноглазов, А. В. Емельянов, А. В. Ситников, А. Н. Талденков, Т. Д. Пацаев, А. Л. Васильев, Е. А. Ганьшина, В. А. Демин, Н. С. Аверкиев, А. Б. Грановский, В. В. Рыльков, “Аномальное поведение туннельного магнетосопротивления в нанокомпозитных пленочных структурах (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/Si ниже порога перколяции: проявления со-туннельных и обменных эффектов”, Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  46–54  mathnet; S. N. Nikolaev, K. Yu. Chernoglazov, A. V. Emelyanov, A. V. Sitnikov, A. N. Taldenkov, T. D. Patsaev, A. L. Vasil'ev, E. A. Gan'shina, V. A. Demin, N. S. Averkiev, A. B. Granovskii, V. V. Ryl'kov, “Anomalous behavior of the tunneling magnetoresistance in (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/Si nanocomposite film structures below the percolation threshold: manifestations of the cotunneling and exchange effects”, JETP Letters, 118:1 (2023), 58–66 2
2021
3. Н. А. Богословский, П. В. Петров, Н. С. Аверкиев, “Спин-флуктуационный переход в неупорядоченной модели Изинга”, Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  383–390  mathnet; N. A. Bogoslovskiy, P. V. Petrov, N. S. Averkiev, “Spin-fluctuation transition in the disordered Ising model”, JETP Letters, 114:6 (2021), 347–353  isi  scopus 6
4. М. Н. Сарычев, А. С. Бондаревская, И. В. Жевстовских, В. А. Уланов, Г. С. Шакуров, А. В. Егранов, В. Т. Суриков, Н. С. Аверкиев, В. В. Гудков, “Туннельные механизмы релаксации системы ян-теллеровских комплексов в кристалле CaF$_2$:Cr$^{2+}$”, Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  52–57  mathnet  elib; M. N. Sarychev, A. S. Bondarevskaya, I. V. Zhevstovskikh, V. A. Ulanov, G. S. Shakurov, A. V. Egranov, V. T. Surikov, N. S. Averkiev, V. V. Gudkov, “Tunneling relaxation mechanisms of the Jahn–Teller complexes in a CaF$_2$:Cr$^{2+}$ crystal”, JETP Letters, 113:1 (2021), 47–51  isi  scopus 7
2020
5. В. Ю. Мыльников, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Каскадная генерация второй гармоники с половинным порядком периодической ориентации”, Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020),  1717–1722  mathnet  elib; V. Yu. Mylnikov, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Cascaded second harmonic generation with a half-order periodic poling”, Optics and Spectroscopy, 128:11 (2020), 1851–1856 1
2019
6. Н. А. Богословский, П. В. Петров, Н. С. Аверкиев, “Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга”, Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2036–2039  mathnet  elib; N. A. Bogoslovskii, P. V. Petrov, N. S. Averkiev, “Impurity magnetic susceptibility of semiconductors for the direct exchange interaction in the Ising model”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 2005–2009 5
7. М. Н. Сарычев, И. В. Жевстовских, Н. С. Аверкиев, И. Б. Берсукер, В. В. Гудков, В. Т. Суриков, “Определение параметров эффекта Яна–Теллера в примесных центрах из ультразвуковых экспериментов: приложение к кристаллу ZnSe : Ni$^{2+}$”, Физика твердого тела, 61:2 (2019),  319–324  mathnet  elib; M. N. Sarychev, I. V. Zhevstovskikh, N. S. Averkiev, I. B. Bersuker, V. V. Gudkov, V. T. Surikov, “Determining the parameters of the Jahn–Teller effect in impurity centers from ultrasonic experiments: application to the ZnSe : Ni$^{2+}$ crystal”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 180–186 2
8. Н. С. Аверкиев, А. В. Коротченков, В. А. Кособукин, “К теории плазмон-экситонов: оценка константы взаимодействия и оптический спектр”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1063–1067  mathnet  elib; N. S. Averkiev, A. V. Korotchenkov, V. A. Kosobukin, “On the theory of plasmon–excitons: an estimate of the coupling constant and the optical spectrum”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1042–1047 4
2018
9. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, “Акцепторный центр Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs (Обзор)”, Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2275–2305  mathnet  elib; N. S. Averkiev, A. A. Gutkin, “Mn$_{\operatorname{Ga}}$ acceptor center in GaAs (review)”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2311–2343 3
10. Г. С. Димитриев, И. В. Крайнов, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, J. Debus, E. Lähderanta, “Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn”, Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1556–1565  mathnet  elib; G. S. Dimitriev, I. V. Krainov, V. F. Sapega, N. S. Averkiev, J. Debus, E. Lähderanta, “Energy structure of an individual Mn acceptor in GaAs : Mn”, Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1568–1577 1
11. П. В. Петров, И. А. Кокурин, Ю. Л. Иванов, Г. Э. Цырлин, В. Е. Седов, Н. С. Аверкиев, “Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:2 (2018),  333–340  mathnet  elib; P. V. Petrov, I. A. Kokurin, Yu. L. Ivanov, G. E. Cirlin, V. E. Sedov, N. S. Averkiev, “Fine structure of levels and piezospectroscopy of A$^{+}$ centers in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Phys. Solid State, 30:2 (2018), 339–346 1
12. Г. М. Савченко, В. В. Дюделев, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Метаматериал для генерации разностной частоты в терагерцовом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 125:4 (2018),  560–563  mathnet  elib; G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “A material for difference-frequency generation of terahertz radiation”, Optics and Spectroscopy, 125:4 (2018), 582–585 4
2017
13. Г. С. Димитриев, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, И. Е. Панайотти, K. H. Ploog, “Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs”, Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2240–2245  mathnet  elib; G. S. Dimitriev, V. F. Sapega, N. S. Averkiev, I. E. Panaiotti, K. H. Ploog, “Confinement effect on hole polarization in (Ga,Mn)As/AlAs diluted magnetic semiconductor multiple quantum wells”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2262–2267 1
14. Г. М. Савченко, В. В. Дюделев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники”, Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683  mathnet  elib; G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation”, Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1702–1705 5
15. А. А. Гуткин, Н. С. Аверкиев, “Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной $d$-оболочкой. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1299–1324  mathnet  elib; A. A. Gutkin, N. S. Averkiev, “Anisotropic Jahn–Teller acceptors formed in GaAs by first-group elements with a filled $d$ shell”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1247–1273 1
16. К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta, “Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  45–50  mathnet  elib; K. S. Denisov, I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, E. Lähderanta, “Spin-dependent tunneling recombination in heterostructures with a magnetic layer”, Semiconductors, 51:1 (2017), 43–48 4
2016
17. К. Ю. Голеницкий, А. М. Монахов, Н. И. Саблина, Н. С. Аверкиев, “Продольные моды шепчущей галереи в металлических микрорезонаторах”, Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016),  637–639  mathnet  elib; K. Yu. Golenitskii, A. M. Monakhov, N. I. Sablina, N. S. Averkiev, “Longitudinal whispering-gallery modes in metal microcavities”, JETP Letters, 104:9 (2016), 615–617  isi  scopus
18. К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta, “Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1725  mathnet  elib; K. S. Denisov, I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, E. Lähderanta, “Spin-dependent tunneling recombination in heterostructures with a magnetic layer”, Semiconductors, 51:1 (2017), 43–48 3
19. Н. А. Богословский, П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев, К. Д. Цэндин, “Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  905–910  mathnet  elib; N. A. Bogoslovskii, P. V. Petrov, Yu. L. Ivanov, N. S. Averkiev, K. D. Tsendin, “Effect of Coulomb correlations on luminescence and absorption in compensated semiconductors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 888–893 2
20. Г. М. Савченко, В. В. Дюделев, К. К. Соболева, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  40–48  mathnet  elib; G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, K. K. Soboleva, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Metamaterial for efficient second harmonic generation”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1041–1044 7
2015
21. И. А. Кокурин, Н. С. Аверкиев, “Ориентация электронных спинов током в квазиодномерной системе”, Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  627–630  mathnet  elib; I. A. Kokurin, N. S. Averkiev, “Orientation of electron spins by the current in a quasi-one-dimensional system”, JETP Letters, 101:8 (2015), 568–571  isi  elib  scopus 4
2014
22. К. С. Денисов, Н. С. Аверкиев, “Особенности намагниченности двумерного разбавленного магнитного полупроводника с сильным спин-орбитальным взаимодействием”, Письма в ЖЭТФ, 99:7 (2014),  467–471  mathnet  elib; K. S. Denisov, N. S. Averkiev, “Singularities of the magnetization of a two-dimensional diluted magnetic semiconductor with strong spin-orbit interaction”, JETP Letters, 99:7 (2014), 400–404  isi  elib  scopus 5
2013
23. А. А. Донцов, А. М. Монахов, Н. С. Аверкиев, “Расчет спектра мод шепчущей галереи в цилиндрических резонаторах с возмущенными граничными условиями”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  414–417  mathnet  elib [A. A. Dontsov, A. M. Monakhov, N. S. Averkiev, “Calculation of the spectrum of whispering gallery modes in cylindrical resonators with perturbed boundary conditions”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 414–417  isi  scopus] 2
24. Л. А. Кулакова, Н. С. Аверкиев, А. Н. Даринский, Э. З. Яхкинд, “Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  410–413  mathnet  elib [L. A. Kulakova, N. S. Averkiev, A. N. Darinskii, È. Z. Yakhkind, “Diagnostics of the fine spectrum of a quantum well in laser heterostructures using ultrasonic deformation”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 410–413  isi  scopus] 4
2012
25. Н. С. Аверкиев, К. А. Барышников, И. Б. Берсукер, В. В. Гудков, И. В. Жевстовских, В. Ю. Маякин, А. М. Монахов, М. Н. Сарычев, В. Е. Седов, “Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими центрами в кристалле GaAs:Cu”, Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  252–256  mathnet  elib; N. S. Averkiev, K. A. Baryshnikov, I. B. Bersuker, V. V. Gudkov, I. V. Zhevstovskikh, V. Yu. Mayakin, A. M. Monakhov, M. N. Sarychev, V. E. Sedov, “Relaxation and resonance ultrasound attenuation by Jahn–Teller centers in a GaAs:Cu crystal”, JETP Letters, 96:4 (2012), 236–239  isi  elib  scopus 3
2010
26. Н. С. Аверкиев, “Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках”, УФН, 180:7 (2010),  777–780  mathnet; N. S. Averkiev, “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductors”, Phys. Usp., 53:7 (2010), 742–745  isi  scopus 4
2002
27. С. А. Тарасенко, Н. С. Аверкиев, “Интерференция спиновых расщеплений в магнитоосцилляционных явлениях в двумерных системах”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002),  669–672  mathnet; S. A. Tarasenko, N. S. Averkiev, “Interference of spin splittings in magneto-oscillation phenomena in two-dimensional systems”, JETP Letters, 75:11 (2002), 552–555  scopus 46
1992
28. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Р. Сосновский, “Симметрия комплекса $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$ в GaAs и его переориентация при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1269–1281  mathnet
1991
29. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, Н. А. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1976–1985  mathnet
30. Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора Au$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1967–1975  mathnet
31. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  58–66  mathnet
32. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  50–57  mathnet
33. Н. С. Аверкиев, Р. Н. Кютт, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Е. И. Чайкина, “Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16  mathnet
1990
34. Н. С. Аверкиев, В. С. Вихнин, “Механизм спиновой поляризации заряженных парамагнитных центров в полупроводниках при взаимодействии с носителями тока”, Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3480–3489  mathnet  isi
35. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs”, Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676  mathnet  isi 1
36. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, О. Г. Максимова, Е. Б. Осипов, “Влияние центров Mn$_{\text{Ga}}$ в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1632–1637  mathnet
1989
37. Н. С. Аверкиев, Ю. В. Илисавский, Е. Б. Осипов, В. М. Стернин, “Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках со сложной структурой зон”, Физика твердого тела, 31:3 (1989),  241–251  mathnet  isi
38. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Ag$_{\text{Ga}}$ — новый ян-теллеровский акцептор в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2072–2074  mathnet
39. Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане, “Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1193–1198  mathnet
40. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, О. Г. Красикова, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов Mn$_{\text{Ga}}$ в $p$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  73–78  mathnet
41. Н. С. Аверкиев, А. Н. Именков, A. M. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Релаксация излучения и неравновесной заселенности в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  79–83  mathnet  isi
1988
42. Н. С. Аверкиев, Г. Е. Пикус, М. Л. Шматов, “Поверхностные экситоны и акцепторы в МПД структурах”, Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3276–3285  mathnet  isi
43. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]”, Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465  mathnet  isi
44. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Влияние обменного взаимодействия дырки с $3d$-электронами на свойства глубокого акцептора Mn в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 30:3 (1988),  765–774  mathnet  isi
1987
45. Н. С. Аверкиев, Ю. В. Илисавский, В. М. Стернин, “Электронный ангармонизм в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны”, Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1450–1455  mathnet  isi
46. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических эффектах, связанных с центром Mn в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1847–1853  mathnet
47. Н. С. Аверкиев, Г. Е. Пикус, “Поверхностный экситон в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1493–1495  mathnet
48. О. А. Мезрин, О. В. Константинов, Н. С. Аверкиев, “Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  504–513  mathnet
49. Н. С. Аверкиев, З. А. Адамия, Д. И. Аладашвили, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  421–426  mathnet
50. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  415–420  mathnet
51. Н. С. Аверкиев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. П. Яковлев, “Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337  mathnet  isi
1986
52. Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu”, Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2959–2963  mathnet  isi 1
53. Н. С. Аверкиев, В. А. Ветров, А. А. Гуткин, И. А. Меркулов, Л. П. Никитин, И. И. Решина, Л. Г. Романов, “Нейтральное состояние глубокого акцептора Cu$_{\text{Ga}}$ в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1617–1622  mathnet
1985
54. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, А. А. Исаков, Э. М. Магеррамов, В. Е. Седов, “Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около 1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  893–898  mathnet
55. Н. С. Аверкиев, Ю. Т. Ребане, И. Н. Яссиевич, “Потенциалы ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  96–100  mathnet
56. Н. С. Аверкиев, С. Ш. Егембердиева, Б. Н. Калинин, О. В. Константинов, А. А. Рогачев, А. С. Филипченко, “Фотолюминесценция сильно легированных кристаллов антимонида индия $n$-типа”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1326–1330  mathnet  isi
1984
57. Н. С. Аверкиев, Ю. В. Илисавский, В. М. Стернин, “Взаимодействие звука с дырками в $p$-Si”, Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2005–2012  mathnet  isi
58. Н. С. Аверкиев, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798  mathnet
59. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Н. М. Колчанова, М. А. Рещиков, “Влияние одноосной деформации на связанную с Mn полосу примесной фотолюминесценции в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1629–1633  mathnet
60. Н. С. Аверкиев, “К вопросу о температурной зависимости индуцированной током оптической активности в теллуре”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  724–727  mathnet
61. Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, “Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре II.  Эксперимент”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  648–654  mathnet
62. Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, “Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре I.  Теория”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  639–647  mathnet
1983
63. Н. С. Аверкиев, С. А. Обухов, А. А. Рогачев, Н. А. Рудь, “О природе линий излучения сильно легированного арсенида галлия $p$-типа в присутствии одноосной деформации”, Физика твердого тела, 25:2 (1983),  343–345  mathnet  isi
64. Н. С. Аверкиев, А. Т. Гореленок, И. С. Тарасов, “Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002  mathnet
65. Н. С. Аверкиев, М. И. Дьяконов, “Ток, обусловленный неоднородностью спиновой ориентации электронов в полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  629–632  mathnet
66. Н. С. Аверкиев, Т. К. Ангаров, А. А. Гуткин, “Примесная фотолюминесценция GaAs$\langle$Cu$\rangle$ около 1.36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению [111]”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  97–102  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024