|
Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 10, страницы 2959–2963
(Mi ftt640)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu
Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Теоретически рассмотрен эффект уменьшения упругих модулей кристалла, содержащего ян-теллеровские примесные центры, переориентирующиеся под влиянием одноосной деформации. Получено выражение для степени поляризации люминесценции этих центров в условиях уменьшения упругости кристалла. Экспериментально исследована полоса фотолюминесценции GaAs : Сu с максимумом около 1.36 эВ, обусловленная ян-теллеровскими центрами Cu. Обнаружено, что в образцах с концентрацией центров ${5\cdot 10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ размягчение кристалла при гелиевых температурах заметно влияет на зависимость поляризационного отношения фотолюминесценции от давления по оси [100].
Поступила в редакцию: 11.12.1985 Исправленный вариант: 10.03.1986
Образец цитирования:
Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 2959–2963
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt640 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v28/i10/p2959
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 107 | PDF полного текста: | 36 |
|