|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 4, страницы 252–256
(Mi jetpl3207)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими
центрами в кристалле GaAs:Cu
Н. С. Аверкиевa, К. А. Барышниковa, И. Б. Берсукерb, В. В. Гудковcd, И. В. Жевстовскихec, В. Ю. Маякинc, А. М. Монаховa, М. Н. Сарычевc, В. Е. Седовa a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b University of Texas in Austin
c Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
d Российский государственный профессионально-педагогический университет, г. Екатеринбург
e Институт физики металлов УрО РАН
Аннотация:
Экспериментально исследовано взаимодействие ультразвука с
комплексами Cu$_{\rm Ga}$4As в кристалле GaAs:Cu. Измерены температурные
зависимости поглощения всех нормальных ультразвуковых мод, распространяющихся в
направлении ${<}110{>}$, как в легированных медью, так и в номинально чистых
кристаллах арсенида галлия. В кристалле GaAs:Cu обнаружен пик поглощения для
поперечной волны, поляризованной вдоль оси ${<}110{>}$, упругие смещения которой
соответствуют симметрии тетрагональной моды эффекта Яна–Теллера. Характер
температурной зависимости поглощения этой волны свидетельствует о том, что имеет
место поглощение двух типов: релаксационное и резонансное. Построена
температурная зависимость времени релаксации, свидетельствующая о том, что при
температурах ниже 10 К основным механизмом релаксации является туннелирование
через потенциальный барьер между минимумами адиабатического потенциала. На
основе экспериментальных данных получена оценка величины туннельного
расщепления, которая находится в хорошем согласии с теоретической.
Поступила в редакцию: 04.06.2012
Образец цитирования:
Н. С. Аверкиев, К. А. Барышников, И. Б. Берсукер, В. В. Гудков, И. В. Жевстовских, В. Ю. Маякин, А. М. Монахов, М. Н. Сарычев, В. Е. Седов, “Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими
центрами в кристалле GaAs:Cu”, Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012), 252–256; JETP Letters, 96:4 (2012), 236–239
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3207 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i4/p252
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 301 | PDF полного текста: | 86 | Список литературы: | 39 | Первая страница: | 2 |
|