Определение параметров эффекта Яна–Теллера в примесных центрах из ультразвуковых экспериментов: приложение к кристаллу ZnSe : Ni$^{2+}$

Разработанная ранее методология использования ультразвуковых исследований для определения параметров эффекта Яна–Теллера (ЭЯТ) в примесных центрах в кристаллах получила дальнейшее развитие в настоящей работе в применении к примесям Ni$^{2+}$ в ZnSe : Ni$^{2+}$. Для всех нормальных мод, распространяющихся вдоль оси [110], измерены температурные зависимости поглощения ультразвука в диапазоне частот 25–165 MHz. При температуре около 13 K для всех этих мод наблюдаются пики поглощения, свидетельствующие о наличии локальных искажений как тригонального, так и тетрагонального типов. Следуя ранее разработанной методике, показано, что эти аномалии поглощения обусловлены проявлением релаксационных переходов между эквивалентными локальными искажениями, индуцированными ЭЯТ в центрах Ni$^{2+}$. В тетраэдрическом окружении селена этот ион находится в трехкратно вырожденном основном электронном состоянии $^{3}T_{1}$, где могут реализоваться три типа ЭЯТ. Данные ультразвуковых экспериментов свидетельствуют о реализации $T\otimes(e+t_{2})$ задачи, в которой поверхность потенциальной энергии имеет четыре эквивалентных минимума тригонального типа, слегка деформированных в сторону тетрагональных седлообразных точек. Оценены тригональные вибронные константы, энергии стабилизации тригональных минимумов и энергии активации барьеров между ними.